[发明专利]一种超纯硅烷气瓶的内壁处理方法

权利要求书

1、一种超纯硅烷气瓶的内壁处理方法，其步骤如下：

A、内壁打磨：将处理的气瓶去掉瓶阀，放置于旋转的气瓶滚动机上，用石英砂加去离子水打磨；倒出石英砂和去离子水；

B、内壁检查：用内窥镜检查气瓶内壁，不能有未打磨干净的锈疤和不光滑的表面，如有则返回步骤A，否则进入步骤C。

C、内壁清洗：采用去离子水清洗气瓶内表面，直到清洗后的电导率≤0.1uS/cm为合格；倒置气瓶，倒出瓶内残留的水；

D、内壁镀镍：内壁镀锌镍复合镀层；再按步骤C清洗内壁；

E、气瓶烘干：将内壁清洗合格的气瓶装上瓶阀，放入105～110℃的真空干燥箱，对气瓶抽真空至≤10Pa；

F、处理结果检查：真空干燥合格的气瓶，充入6N高纯氢至3～4MPa，放置24小时后测量气瓶内气体的含水量，≤0.5ppm为合格；不合格，放掉氢气，返回步骤D操作，合格为止；

G、放掉氢气，抽真空至≤1Pa，灌装硅烷，放置10天以上，分析硅烷中各项杂质含量，特别是含水量≤2ppm；30天，60天后再次分析，如各项杂质指标无变化，则处理完毕；否则，返回步骤A。

2、根据权利要求1所述一种超纯硅烷气瓶的内壁处理方法，其特征是：步骤A、内壁打磨：将处理的气瓶去掉瓶阀，放置于旋转的气瓶滚动机上，用直径6～8mm的石英砂4～6kg放入气瓶，加去离子水10～15kg旋转气瓶，打磨3～4小时；倒出石英砂和去离子水。