[发明专利]半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器的设计方法无效
| 申请号： | 200810020724.7 | 申请日： | 2008-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN101232148A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 赵裕兴;李立卫;吕楠楠 | 申请（专利权）人： | 苏州德龙激光有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/0941 | 分类号： | H01S3/0941;H01S3/05;H01S3/16;H01S3/109;H01S3/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈忠辉;姚姣阳 |
| 地址： | 215021江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 二极管 双端泵浦高 功率 紫外 激光器 设计 方法 | ||
1.半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器的设计方法，其特征在于：采用两个半导体二极管(1、9)构成双端泵浦方式泵浦激光晶体，其中一个半导体二极管(1)输出的808nm泵浦光经过由两个非球面透镜(2、3)构成的非球面光学耦合系统及透镜(4)耦合到激光晶体(5)内，另一个半导体二极管(9)输出的808nm泵浦光经过由两个非球面透镜(8、7)构成的非球面光学耦合系统及透镜(6)也耦合到激光晶体(5)内，产生的1064nm激光经过由五个平面镜(11、12、13、14、15)构成的谐振腔进行腔内振荡，并由Q开关(10)进行调制；调制的1064nm基频光两次经过二倍频晶体(16)进行1064nm基频光到532nm倍频光的转换，未完成二次倍频转换的剩余1064nm基频光与532nm倍频光经过三倍频晶体(17)进行和频，得到的355nm紫外激光从三倍频晶体布儒斯特角切割的一面输出。
2.根据权利要求1所述的半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器的设计方法，其特征在于：所述两个半导体二极管(1、9)均采用输出功率为30W的808nm半导体二极管，其尾纤纤芯直径为400微米，数值孔径NA＝0.22。
3.根据权利要求1所述的半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器的设计方法，其特征在于：所述激光晶体(5)为Nd:YVO4，其晶体尺寸为3×3×15mm3，晶体掺杂浓度为0.3％；或者为Nd:YAG、Nd:YLF、Nd:Glass激光晶体。
4.根据权利要求1所述的半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器的设计方法，其特征在于：所述二倍频晶体(16)为I类相位匹配方式LBO，其晶体尺寸为3×3×12mm3；或者为II类LBO、II类KTP、II类BBO、II类CLBO。
5.根据权利要求1所述的半导体二极管双端泵浦高功率紫外激光器的设计方法，其特征在于：所述三倍频晶体(17)为II类相位匹配方式LBO，其晶体尺寸为3×3×15mm3；或者为I类LBO、II类BBO、II类CLBO。
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