[发明专利]单晶硅片水基清洗剂

说明书

技术领域：

本发明涉及一种硅片超声波清洗剂，尤其是一种可提高去垢能力、清洗速度以及耐用性能的单晶硅片水基清洗剂。

背景技术：

硅片首先是将硅棒切割成片状，经过研磨、抛光、腐蚀等工序，以获得平整光洁的表面，然后再经过清洗、氧化、光刻、外延生长、固态扩散等复杂的加工过程，才能形成半导体材料。其中的清洗主要是去除切割过程中产生的沙粒、残留的水溶性线切割悬浮液、金属离子、指纹等，清洗效果将直接影响硅片的质量，必需满足除垢彻底、无腐蚀氧化、无残留等技术要求。目前，还没有专用于单晶硅片的超声波清洗液，现有清洗剂存在着去垢能力差、清洗速度慢以及耐用性能不强的缺点，导致作业用清洗剂浓度高、用量大，直接提高了生产成本，同时换槽频繁、次数多，增加了污水排放量，不利于环境保护。

发明内容：

本发明是为了解决现有技术所存在的上述技术问题，提供一种可提高去垢能力、清洗速度以及耐用性能的单晶硅片水基清洗剂。

本发明的技术解决方案是：一种单晶硅片水基清洗剂，其特征在于是荧光黄色透明液体，有如下组分和重量百分配比：

表面活性剂     20～40

溶剂           5～15

PH调节剂       15～20

光亮剂         10～20

去离子水       30～45。

所述的表面活性剂为EMULAN乳化剂、脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷醇酰胺中的一种或两种。

所述的脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚为8～9个碳的伯醇或仲醇，乙氧基为8～10个，丙氧基为3～6。

所述脂肪醇聚氧乙烯醚为8～14个碳的醇，乙氧基为3～6个。

所述烷醇酰胺为16～18个碳的月桂基或椰子油基。

所述的溶剂为乙醇、萜烯、碳酸二甲脂中的一种或两种。

所述PH调节剂为单乙醇胺、碳酸钠、硅酸钠、乳酸中的一种或两种。

所述的光亮剂为甲基甘氨酸钾、改性马来酸和丙烯酸聚合物、改性聚合物钠的一种或两种。

本发明是利用表面活性剂的复配性能，提高了表面去污力及保持清洁度的持续性，同时可使硅片洗后无水痕，更加光亮，对于单晶硅片等物料具有良好的清洁效果，并且提高了清洗速度和耐用性能。配制浓度低、用料少，不仅降低了用户的使用成本，还减少了污水排放，达到了节能减排的目的。

具体实施方式：

原料及重量百分比如下：表面活性剂20～40％、溶剂5～15％、PH调节剂15～20％、光亮剂10～20％、去离子水30～45％。

所述的表面活性剂为EMULAN乳化剂(如AA56，EMULAN AA7400)、脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷醇酰胺中的一种或两种。其中脂肪醇聚氧乙烯聚氧丙烯醚为8～9个碳的伯醇或仲醇，乙氧基为8～10个，丙氧基为3～6。脂肪醇聚氧乙烯醚为8～14个碳的醇，乙氧基为3～6个。烷醇酰胺为16～18个碳的月桂基或椰子油基。

所述的溶剂可以为乙醇、萜烯、碳酸二甲脂AK-100中的一种或两种。

所述调节剂可以是单乙醇胺、碳酸钠、硅酸钠、乳酸中的一种或两种。

所述的光亮剂为甲基甘氨酸钾、改性马来酸和丙烯酸聚合物、改性聚合物钠的一种或两种。

各原料可在重量范围内进行选择，使重量之和为100％，配制产品的外观为荧光黄色透明液体。

适用本发明清洗工艺如下：

清洗产品：切割后的单晶硅片。

使用药剂：本发明实施例。

使用浓度：按3％配比，清洗槽约130升，实际使用量为4升。

清洗时间：300S

使用温度：60～65℃左右。

在用量及其他清洗条件相同时，通过多次清洗，得出以下数据：