[发明专利]半导体光装置有效
| 申请号: | 200810009530.7 | 申请日: | 2008-01-30 |
| 公开(公告)号: | CN101257057A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
| 发明(设计)人: | 鹫野隆;反町进;中井大介;冈本薰;早川茂则 | 申请(专利权)人: | 日本光进株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/08 | 分类号: | H01L31/08;H01L31/0224;H01S5/00 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体光装置,为在半导体基板上形成的活性面上大体上以垂直方向或平行方向发光或受光的半导体装置,其特征在于:在上述活性面的一侧上形成与上述活性面连接的电极,该电极在其端部具有阶梯形或锥形。
2.如权利要求1中记载的半导体光装置,其中上述电极形成为含Au层的复数层,上述阶梯形是通过Au层的有无而形成的。
3.如权利要求1中记载的半导体光装置,其中上述电极形成为含Au层的复数层,上述阶梯形是通过Au层膜的厚度差而形成的。
4.如权利要求3中记载的半导体光装置,其中上述Au层膜的厚度差是通过提拉而形成的。
5.如权利要求1中记载的半导体光装置,其中上述电极由粘着层、扩散阻挡层和电流层构成,该电极的端部的上述锥形或阶梯形通过提拉而形成。
6.如权利要求1~5中任一项记载的半导体光装置,其中该半导体光装置为半导体发光装置或半导体受光装置。
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