[发明专利]半导体光装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光装置和半导体受光装置等的半导体光装置，特别是涉及一种可靠性优异的半导体光装置。

背景技术

参照图1至图3，说明背景技术的半导体激光装置。这里，图1是半导体激光装置的斜视图。图2和图3是半导体激光装置的剖面图。

图1中，在半导体激光装置中，在InP基板10上形成含有活性层的条纹60，在条纹60的左右形成电极的电容调整用PAD 30，形成未图示出的钝化膜40后，在条纹60上形成通孔，然后形成电极膜20之后，采用光蚀刻法加工该电极膜20，形成图1右侧的p电极。另外，图中省略的n电极是在InP基板10的反面研磨后在InP基板10的反面(下面)上形成的。

另外，图1左侧的电极为浮动电位，是为了便于半导体激光装置的操作而形成的。另外，激光在条纹60的下部振荡并向前后方向发射，其发射比率是由在端面设置的未图示的发射膜所决定的。

图2是图1中用虚线示出的位置的剖面图。另外，在本说明书中，剖面图中没有给予剖面线。这是为了防止图面的繁杂。如在图1中说明的，PAD 30形成在p电极和浮动电极的下部。钝化膜40覆盖半导体激光装置的整个活性面，使作为条纹60一部分的台面晶体管50的上部开口，获得台面晶体管50和电极膜20的电连接。

图3是图1的最前部分(发射端)的剖面图。半导体激光装置在其发射端中，电极膜20覆盖条纹60的整个面，在距离宽约1μm的台面晶体管50几个μm～10μm的两侧位置上，通过离子铣削形成电极膜端部20b。该电极膜端部20b的位置是根据其电容而设计的。在此，电极膜20是Ti/Pt/Au的蒸镀膜，其厚度依次为150nm/40nm/750nm。另外，Ti确保与衬底粘着，Pt是防止Au向衬底扩散的阻止物，Au是电流层以及用作引线接合。电极膜20中产生膜生长时的应力，并残留该应力。该应力在成为非连接点的电极膜端部20b处最大。反面研磨后的InP基板10的厚度薄到90μm。另一方面，电极膜20的应力是GPa级的拉伸应力。结果，电极膜20的应力使得InP基板10在下面凸出(使得电极膜面在内侧)变形。另外，本说明书中，Ti/Pt/Au的记载意味着Ti在最下侧(InP基板侧)，Au在最上侧。

根据发明人等的研究，该变形使得在台面晶体管50的下面的电子和空穴分布在纵方向上(纸面内的上下方向)具有时而变浓时而变薄的影响。结果，存在激光振荡时电流密度增加，产生的热集中而导致结晶破坏这样的担忧。半导体激光装置在贴附在热源上的激光模块的状态下，由于激光振荡，所以变形被纠正。但是，对结晶破坏的担忧预先采取对策是必要的。

发明内容

本发明提供了一种没有因电极膜的应力而导致结晶破坏这种担忧并且可靠性优异的半导体光装置。

上述课题是通过这样的半导体光装置而实现的：在半导体基板上形成的活性面上大体上以垂直方向或平行方向发光或受光，并在活性面侧上形成与上述活性面连接的电极，该电极在其端部具有阶梯形状。

附图说明

图1是半导体激光装置的斜视图。

图2是半导体激光装置的剖面图。

图3是半导体激光装置的射出端部的部分剖面图。

图4是半导体激光装置的射出端部的部分剖面图。

图5是半导体激光装置的加工工艺的示意图。

图6是适用于半导体激光装置的光发射模块的方框图。

图7是半导体激光装置的其它加工工艺的示意图。

图8是半导体激光装置的另外的其它加工工艺的示意图。

发明内容

在下面本发明的实施方式中，参照使用的附图对实施例进行说明。另外，实质上相同的部位分配相同的参照序号，不再重复说明。

实施例1

参照图4至图6说明实施例1。在此，图4是半导体激光装置的射出端部的部分剖面图。图5是半导体激光装置的加工工艺的示意图。图6是适用于半导体激光装置的光发射模块的方框图。

在图4中，半导体激光装置100在其射出端中，电极膜20覆盖条纹60这个面，在距离宽约1μm的台面晶体管50几个μm～10μm的两侧位置上，通过离子铣削形成电极膜端部20b。但是，该电极膜端部20b的金属化是Ti/Pt两层。另外，电极膜20的Au层直达电极膜端部20b的1-3μm内侧的Au电极膜端部20a。这样的结构，是由于构成电极膜20的Ti和Pt和Au的应力不被集中在电极膜端部20b上，而且，由于膜厚度最大应力也大的Au电极膜端部20a，因此Ti/Pt层具有作为应力缓和层的功能。