[发明专利]包括硅纳米管芯的多层结构及其制作方法

权利要求书

1.一种包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法，包括：

形成第一导电层于基底上；及

形成富硅介电层于该第一导电层上，其中该富硅介电层具有多个硅纳米管芯。

2.如权利要求1所述的包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法，其中该硅纳米管芯经由对该富硅介电层进行激光退火步骤，使富硅激发产生聚集而形成。

3.如权利要求1所述的包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法，其中具有该硅纳米管芯的该富硅介电层经由等离子体辅助化学气相沉积工艺形成。

4.如权利要求1所述的包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法，其中该富硅介电层包括富硅氧化物、富硅氮化物或上述的组合。

5.如权利要求1所述的包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法，其中该富硅介电层的折射系数大体上为1.4～2.3。

6.如权利要求1所述的包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法，其中该富硅介电层的折射系数大体上为1.47～2.5。

7.如权利要求1所述的包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法，其中形成该富硅介电层的步骤包括：

使用等离子体辅助化学气相沉积法工艺，以第一组条件形成厚度大体上为50～1000nm的富硅介电层；

改变该富硅介电层的硅含量比，以使该富硅介电层形成所需的折射系数；以及

对该富硅介电层进行激光退火步骤，使富硅激发产生聚集，以于该富硅介电层中形成该硅纳米管芯，其中该第一组条件包括有效温度大体上为200℃～400℃，有效工艺时间大体上为13秒～250秒。

8.如权利要求7所述的包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法。

9.如权利要求8所述的包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法，其中该硅含量比的范围大体上为1∶10～2∶1，以使该富硅介电层的折射系数至少在1.47～2.5的范围中。

10.如权利要求1所述的包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法，其中形成该富硅介电层的步骤，包括：

使用等离子体辅助化学气相沉积法工艺，以第一组条件形成厚度大体上为100～500nm的富硅介电层；

改变该富硅介电层的硅含量比，以使该富硅介电层形成所需的折射系数；以及

对该富硅介电层进行激光退火步骤，使富硅激发产生聚集，以于该富硅介电层中形成该硅纳米管芯。

11.如权利要求1所述的包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法，其中形成该具有该硅纳米管芯的富硅介电层的步骤包括：

对该富硅介电层进行激光退火步骤，使富硅激发产生聚集，以于该富硅介电层中形成该硅纳米管芯，其中该激光退火步骤包括以分子激光，在可调整频率和激光能量且温度低于400℃的条件下，对该富硅介电层进行退火，其中该分子激光对该富硅介电层进行退火的步骤还包括：

在激光能量密度为70～300mJ/cm²的范围调整激光能量密度，以形成多个直径为3～10nm的硅纳米管芯。

12.如权利要求1所述的包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法，其中形成该具有该硅纳米管芯的富硅介电层的步骤包括：

对该富硅介电层进行激光退火步骤，使富硅激发产生聚集，以于该富硅介电层中形成该硅纳米管芯，其中该激光退火步骤包括以分子激光，在可调整频率和激光能量且温度低于400℃的条件下，对该富硅介电层进行退火，其中该分子激光对该富硅介电层进行退火的步骤还包括：

在激光能量密度为70～200mJ/cm²的范围调整激光能量密度，以形成多个直径为3～6nm的硅纳米管芯。

13.如权利要求1所述的包括硅纳米管芯的多层结构的制造方法，其中形成该具有该硅纳米管芯的富硅介电层的步骤包括：

对该富硅介电层进行激光退火步骤，使富硅激发产生聚集，以于该富硅介电层中形成该硅纳米管芯，其中该激光退火步骤包括以分子激光，在可调整频率和激光能量且温度低于400℃的条件下，对该富硅介电层进行退火，其中该分子激光对该富硅介电层进行退火的步骤还包括：

在激光能量密度为200～300mJ/cm²的范围调整激光能量密度，以形成多个直径为4～10nm的硅纳米管芯。