[发明专利]作为腐蚀抑制剂的肌胺酸化合物

说明书

技术领域

本发明有关一种作为腐蚀抑制剂的肌胺酸或肌胺酸化合物，目的在提供一种用于化学机械研磨组成物的腐蚀抑制剂，可提高加工对象的抑制腐蚀能力，且不会在研磨对象表面残留有残渣。 

背景技术

随着电子组件的关键尺寸(Critical Dimension)愈来愈小及导线层数的急遽增加，电阻/电容时间延迟(RC Time Delay)将严重影响整体电路的操作速度。为了改善随着金属联机线宽缩小所造成的时间延迟以及电子迁移可靠性问题，所以选择电阻率低与抗电子迁移破坏能力高的铜导线材料，取代铝合金金属。然而，由于铜金属具有不易蚀刻的特性，必须改采另一种镶嵌(Damascene)方式来形成铜金属导线。 

镶嵌(Damascene)方式制程有别于传统先定义金属图案再以介电层填沟的金属化制程，其方法是先在一平坦的介电上蚀刻出金属线的沟槽后，再将金属层填入，最后将多余的金属移去，而得到一具有金属镶嵌于介电层中的平坦结构。镶嵌式制程比起传统的金属化制程具有以下优点：(1)可使基底表面随时保持平坦；(2)可排除传统制程中介电材料不易填入金属导线间隙的缺点：(3)可解决金属材料蚀刻不易的问题，特别是铜金属的蚀刻。 

另外，为克服传统内联机的制程中接触窗构造与导线图案需分别制作，使得整个制程步骤极其繁复的缺点，目前另发展出一种双镶嵌(dual damascene)制程，其制作过程是进行两次选择性蚀刻，分别将导线介电质(line dielectric)与介层介电质(via dielectric)蚀开后，一次做完金属层与插塞的阻障层，并一次将导电金属填入介层窗和内联机沟槽，达到简化制程步骤的效果。近年来，为配合组件尺寸缩小化的发展以及提高组件操作速度的需求，具有低电阻常数和高电子迁移阻抗的铜金属，已逐渐被应用来作为金属内联机的材质，取代以往的铝金属制程技术。铜金属的镶嵌式内联机技术，不仅可达到内联机的缩小化并且可减少RC时间延迟，同时也解决了金属铜蚀刻不易的问题，因此已成为现今多重内联机主要的发展趋势。 

无论是单镶嵌或双镶嵌的铜制程，在完成铜金属的填充后都需要进行平坦化制程，以将介电层上多余的金属去除。目前，通常藉由化学机械研磨制程来达到此一目的。通常将铜-化学机械研磨制程，分为二个步骤。第一阶段以较快的研磨速率将大部分的铜移除，以增加单位产出量。第二阶段则以较慢的研磨速率磨除剩下的少量铜，藉以避免对凹槽内的铜造成过度磨蚀的现象。通常，二阶段的铜研磨制程，需要更换不同组成的研磨组成物，以符合不同阶段的铜研磨需求。 

一般而言，金属层(铜)的化学机械研磨都在pH值约4左右的酸性范围下进行(与介电层在碱性条件下不同)，而且化学机械研磨组成物通常会添加少量氧化剂(如过氧化氢)，以提高研磨速率。然而，由于铜金属容易受到腐蚀且极易氧化，而且铜无法像铝会形成自我保护氧化层，因此在这样的条件下研磨过后，最终的铜导线常常有受到腐蚀的情形，因而严重影响到内联机的品质。 

为解决上述问题，现有技术是在研磨过程中添加一腐蚀抑制剂，如苯并三唑(1H-benzotriazole；BTA)，以避免铜金属或其合金在酸性介质下受到腐蚀。然而，研磨过后该苯并三唑会于加工对象(芯片)表面残留有残渣，且该残渣不容易被去离子水等清洗剂清除，使该加工对象(芯片)表面由残渣而形成不平坦的表面，而影响该加工对象(芯片)的后续制程。 

发明内容

本发明的主要目的即在提供一种用于化学机械研磨组成物的腐蚀抑制剂，可提高加工对象的抑制腐蚀能力，且不会在研磨对象表面残留有残渣的腐蚀抑制剂。 

为达上揭目的，本发明中作为腐蚀抑制剂的肌胺酸化合物为肌胺酸及其盐类化合物，该腐蚀抑制剂用于化学机械研磨组成物中，可于化学机械研磨时于加工对象的表面形成一层保护膜，以避免加工对象受到腐蚀，亦可改良习有利用腐蚀抑制剂(例如苯并三唑；BTA)，会于加工对象表面形成残渣的缺失。 

具体实施方式

本发明的特点，可参阅本案图式及实施例的详细说明而获得清楚地了解。 

本发明作为腐蚀抑制剂的肌胺酸化合物，该腐蚀抑制剂为肌胺酸及其盐类化合物等肌胺酸化合物或其混合物，而该腐蚀抑制剂用于化学机械研磨组成物中，可于化学机械研磨时于加工对象的表面形成一层保护膜，以避免加工对象受到腐蚀，可提高加工对象的抑制腐蚀能力，该化学机械研磨组成物除了腐蚀抑制剂，还进一步包含有：磨粒、氧化剂、加速剂、抑制剂以及溶剂。