[发明专利]静态随机存取存储器元件

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器元件，其特征在于至少包括：

一第一反相器；

一第二反相器与该第一反相器交互耦合；

一第一通过栅电晶体，连接该第一反相器至一位元线；以及

一第二通过栅电晶体，连接该第二反相器至一互补位元线；

其中，该第一通过栅电晶体或该第二通过栅电晶体具有一布局结构，其栅极导电层与其源极接触窗间的一第一距离不同于其栅极导电层与其漏极接触窗间的一第二距离，以增进该静态随机存取存储器元件的稳定性。

2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器元件，其特征在于其中所述的第一距离长于该第二距离。

3.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器元件，其特征在于其中所述的第二距离为该第一距离的50至100％。

4.根据权利要求2所述的静态随机存取存储器元件，其特征在于其中所述的第一反相器或第二反相器更至少包括一上拉电晶体，具有一布局结构，该布局结构中的一栅极导电层与一源极接触窗间的一第三距离等于该第二距离。

5.根据权利要求4所述的静态随机存取存储器元件，其特征在于其中所述上拉电晶体的一栅极导电层与一漏极接触窗间的一第四距离等于该第二距离。

6.根据权利要求5所述的静态随机存取存储器元件，其特征在于其中所述的第一反相器或该第二反相器更至少包括一下拉电晶体，具有一布局结构，该布局结构中的一栅极导电层与一源极接触窗间的一第五距离等于该第二距离。

7.根据权利要求6所述的静态随机存取存储器元件，其特征在于其中所述的下拉电晶体的一栅极导电层与一漏极接触窗间的一第六距离等于该第二距离。

8.根据权利要求7所述的静态随机存取存储器元件，其特征在于其中所述的通过栅电晶体的该漏极接触窗、该上拉电晶体的该源极接触窗以及该下拉电晶体的该源极接触窗会对齐。

9.根据权利要求8所述的静态随机存取存储器元件，其特征在于其中所述的通过栅电晶体的该栅极导电层与该上拉电晶体及该下拉电晶体的该栅极导电层未对齐。

10.一种静态随机存取存储器元件，具有至少一存储单元，其特征在于该静态随机存取存储器元件的布局结构至少包括：

一第一掺杂区；

一第一栅极导电层延伸穿过该第一掺杂区之上，该第一栅极导电层与该第一掺杂区一起作为该存储单元的一通过栅电晶体；

一源极接触窗，该通过栅电晶体的该源极接触窗位于一n型掺杂区上的该栅极导电层的一侧；以及

一漏极接触窗，该通过栅电晶体的该源极接触窗位于该n型掺杂区上的该栅极导电层的另一侧；

其中，该第一栅极导电层与该源极接触窗间的一第一距离不同于该第一栅极导电层与该漏极接触窗间的一第二距离，以增进该静态随机存取存储器元件的稳定性。

11.根据权利要求10所述的静态随机存取存储器元件，其特征在于其中所述的第一距离长于该第二距离。

12.根据权利要求11所述的静态随机存取存储器元件，其特征在于其中所述的第二距离为该第一距离的50至100％。

13.根据权利要求10所述的静态随机存取存储器元件，其特征在于其中所述的布局结构更至少包括一第二掺杂区，与该第一掺杂区平行相邻。

14.根据权利要求13所述的静态随机存取存储器元件，其特征在于其中所述的布局结构更至少包括一第二栅极导电层延伸穿过该第一掺杂区与该第二掺杂区之上，该第二栅极导电层与该第一掺杂区作为一下拉电晶体，该第二栅极导电层与该第二掺杂区作为一上拉电晶体。

15.根据权利要求14所述的静态随机存取存储器元件，其特征在于其中所述的布局结构更至少包括：

一源极接触窗，该下拉电晶体的该源极接触窗位于该第一掺杂区上的该第二栅极导电层的一侧；以及

一源极接触窗，该上拉电晶体的该源极接触窗位于该第二掺杂区上的该第二栅极导电层的一侧。

16.根据权利要求15所述的静态随机存取存储器元件，其特征在于其中所述的第二栅极导电层与该下拉电晶体的该源极接触窗间的一第三距离等于该第二距离。

17.根据权利要求15所述的静态随机存取存储器元件，其特征在于其中所述的第二栅极导电层与该上拉电晶体的该源极接触窗间的一第四距离等于该第二距离。