[发明专利]蒸发坩埚和具有合适的蒸发特性的蒸发设备无效
| 申请号: | 200810006547.7 | 申请日: | 2008-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN101265567A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
| 发明(设计)人: | 霍尔格·澳尔巴赫;海尔马特·格瑞姆 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | C23C14/26 | 分类号: | C23C14/26 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵飞 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 蒸发 坩埚 具有 合适 特性 设备 | ||
技术领域
本发明一般地涉及薄膜形成设备和在该设备中用于薄膜形成的坩锅。具体地,本发明涉及用于蒸发合金或金属的坩锅。特别地,本发明涉及蒸发坩锅和蒸发设备。
背景技术
蒸发器可以用于衬底上的材料薄膜涂层。例如,利用金属膜的涂层(其例如提供大面板显示器的电容器或提供薄片上的保护层)可以利用蒸发器来施加。具体地,对于大面板显示器,可以以大的并且相对很薄的玻璃板来提供的衬底可以被垂直放置在涂层工艺中,并且用垂直蒸发器来进行涂层。
具体地对于垂直蒸发来说,将被沉积在衬底上的材料蒸汽的源通常设置有垂直喷嘴管,其定义了用于涂层垂直排列的衬底的线性垂直延伸的源。
由此提供的线性源具有高的复杂性,并且制造和维护很昂贵。此外,垂直延伸的喷嘴管提供朝向衬底的显著热辐射。
此外,已经被建议用于蒸发坩锅的不同温度区域的稳定性可能不足,因为将被蒸发的材料可能在坩锅的各个区域中迁移,还可能溶解坩锅的不同部分,从而温度定制可能被劣化。
发明内容
根据上述情况,本发明提供了根据本发明的第一方面和第二方面的蒸发坩锅,以及根据第三面的蒸发设备。
根据本发明第一方面的一个实施例,提供了一种蒸发坩锅。所述蒸发坩锅包括:导电主体和盖;所述主体具有用于施加通过所述主体的加热电流的第一电连接和第二电连接,所述主体包括提供熔融蒸发区域的腔,所述腔包括腔底和腔壁,其中所述盖与所述腔形成封闭空间。所述蒸发坩锅还包括:进料开口,用于进料材料;以及分配孔,提供所述封闭空间的蒸汽出口。
根据本发明第二方面的一个实施例,提供了一种蒸发坩锅。所述蒸发坩锅包括:导电主体,其具有用于施加通过所述主体的加热电流的第一电连接和第二电连接,所述主体包括提供熔融蒸发区域的腔,所述腔包括腔底和腔壁。所述蒸发坩锅还包括:第一和第二加热部分,其紧邻腔设置,并且被分别设置在所述腔和所述第一电连接之间和所述腔和所述第二电连接之间;以及进料开口(134;430),用于进料材料。
根据本发明第三方面的一个实施例,提供一种包括至少一个蒸发坩锅的蒸发设备。所述蒸发坩锅包括:导电主体和盖;所述主体具有用于施加通过所述主体的加热电流的第一电连接和第二电连接,所述主体包括提供熔融蒸发区域的腔,所述腔包括腔底和腔壁,其中所述盖与所述腔形成封闭空间。所述蒸发坩锅还包括:进料开口,用于进料材料;以及分配孔,提供所述封闭空间的蒸汽出口。
根据从属权利要求、说明书和附图,可以清楚了解可以与上述实施例结合的进一步的优点、特征、方面以及细节。
实施例还涉及用于完成所公开的方法的并且包括用于执行所述方法步骤的设备部件的设备。这些方法步骤可以通过硬件构件、由适当的软件编程的计算机、通过上述两种方式的任意组合或任何其它方式来执行。此外,实施例还涉及所述设备的操作方法或所述设备的制造方法。其包括用于实现设备的功能的方法步骤或制造设备的部件的方法步骤。
附图说明
本发明的上述和其它更具体的方面中的一部分将在下面的描述中进行描述,参考附图进行局部说明。
图1A示出了根据本文所述的实施例的包括罐形腔的蒸发坩锅的主体的示意图;
图1B示出了包括盖的图1A的蒸发坩锅的又一示意图;
图2A到图2D示出了根据本文所述的实施例的蒸发坩锅的主体的横截面;
图3示出了根据本文所述的实施例的包括主体和进料套管的又一蒸发坩锅的示意图;
图4A示出了根据本文所述的实施例的包括主体和进料开口的还又一蒸发坩锅的示意性侧视图;
图4B示出了图4A所示的蒸发坩锅的示意性俯视图;
图5示出了根据本文所述的实施例的包括主体、盖和若干蒸汽分配孔的蒸发坩锅的示意图;
图6示出了根据本文所述的实施例的用于在衬底上进行薄膜气相沉积的蒸发设备的构件的示意图;以及
图7示出了根据本文所述的实施例的又一蒸发设备的构件的示意图。
具体实施方式
在下文中,铝将被主要描述作为被沉积在衬底上的材料,但是这不是限制本申请的范围。本发明还涉及将被蒸发并例如用于衬底的涂层的金属、合金或其它材料。此外,衬底一般是指如通常用于显示技术(例如TFT显示器)的玻璃基材,但是这不是限制本发明的范围。本发明的实施例可以应用于在其它衬底上进行的和用于其它技术的薄膜气相沉积。
在下面对附图的描述中,相同的标号指代相同的构件。一般来说,针对各个实施例,仅仅描述其差异。
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