[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于：

包括半导体基板和堆积配置在所述半导体基板上的种类彼此不同的多个电容元件，

所述多个电容元件并联连接着。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个电容元件配置在相同平面区域的不同层上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个电容元件包括如下三种电容元件中的至少两种电容元件：第一种类的电容元件，其包含MOS型电容元件或PIP型电容元件；第二种类的电容元件，其利用了同层的金属图案之间的电容；和第三种类的电容元件，其利用了下部金属电极与所述下部金属电极上的上部金属电极之间的电容。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

所述第一种类的电容元件配置在比所述第二种类的电容元件更下层，所述第三种类的电容元件配置在比所述第二种类的电容元件更上层。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

所述MOS型电容元件将所述半导体基板的一部分作为下部电极，将隔着第一绝缘膜而形成在所述半导体基板上的导体层作为上部电极，

所述PIP型电容元件将形成在所述半导体基板上的第一多晶硅层作为下部电极、将隔着第二绝缘膜而形成在所述第一多晶硅层上的第二多晶硅层作为上部电极。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

所述第三种类的电容元件利用所述下部金属电极与所述上部金属电极之间的电容，而未利用同层的金属图案之间的电容。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：

所述第三种类的电容元件的所述上部金属电极是利用与所述半导体装置的焊垫电极用的金属层相同的金属层而形成的。

8.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

所述第二种类的电容元件利用形成在同层上的第一金属图案和第二金属图案之间的电容，

所述第一金属图案具有如下的图案形状：在第一方向上延伸的多个第一导体部利用在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一连结部而连结，

所述第二金属图案具有如下的图案形状：多个第二导体部利用在所述第二方向上延伸的第二连结部而连结，所述多个第二导体部在所述第一方向上延伸且分别配置在所述多个第一导体部之间。

9.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：

形成所述第二种类的电容元件的所述金属图案是利用形成在所述半导体基板上的配线层而形成的。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：

具有形成在所述半导体基板上的多个配线层，且

形成所述第二种类的电容元件的所述金属图案是在所述多个配线层中的一个以上的配线层上形成的。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于：

具有形成在所述半导体基板上的多个配线层，且

形成所述第二种类的电容元件的所述金属图案是在所述多个配线层中的两个以上的配线层上形成的，

利用同层的所述金属图案之间的电容和不同层的所述金属图案之间的电容而形成所述第二种类的电容元件。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

具有形成在所述半导体基板上的多个配线部，所述多个配线部配置在彼此不同的层上且平面上重叠的位置上，

所述多个电容元件利用所述多个配线部而连接着。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个电容元件的平面尺寸大致相同。

14.一种半导体装置，其特征在于：

包括半导体基板和堆积配置在所述半导体基板上的特性彼此不同的多个电容元件，

所述多个电容元件并联连接着。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个电容元件配置在相同平面区域的不同层上。

16.根据权利要求14所述的半导体装置，其特征在于：

所述多个电容元件的平面尺寸大致相同。