[发明专利]快闪存储器平均磨损方法及其控制器

说明书

技术领域

本发明是有关于一种平均磨损方法，且特别是有关于一种用于快闪存储器的平均磨损方法及其控制器。 

背景技术

数码相机、手机相机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对储存媒体的需求也急速增加，由于快闪存储器(Flash Memory)具有资料非挥发性、省电、体积小与无机械结构等的特性，适合可携式应用，最适合使用于这类可携式由电池供电的产品上。除了可携式产品内建存储器需要之外，对于小型存储卡与随身碟等外接式产品来说，每个人可能同时拥有多个随身碟与小型存储卡，所以市场规模较那些设备更大。因此，近年快闪存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。 

虽然快闪存储器具有可写入、可抹除、以及断电后仍可保存数据的优点。然而，快闪存储器区块的抹除次数是有限的，例如存储器区块抹除一万次后就会磨损。当存储器区块磨损导致储存容量的部分的使用损失或性能的明显退化时，会造成使用者储存资料的损失或无法储存资料等不利影响。 

快闪存储器区块的磨损取决于每一区块中被程序(program)或抹除的次数。也就是，若一区块仅被程序(或者写入)一次，而后未被再程序时，则此区块的磨损将相对地低，反之，若一区块被重复地程序与抹除时，则此区块的磨损就会相对地高。例如，当存取存储器区块的主机重复地使用相同逻辑区块地址来写入资料时，则快闪存储器内的相同实体位置的区块会被重复地写入与抹除。 

当某些区块被磨损同时其他区块相对地未磨损时，一般而言磨损区块的存在会降低快闪存储器的性能。除了磨损区块本身性能的退化之外，当未磨损的区块不足以储存资料时，快闪存储器整体的性能也会降低。也就是，当快闪存 储器发生超过一门限数的磨损区块时，即使仍有其他区块未磨损，然，此快闪存储器会被判为无法再使用。当实质上未磨损区块被视为无法使用时，将为造成资源实际上的浪费。 

为了增加快闪存储器的寿命，会尽可能平均地使用快闪存储器的区块。一般为达到平均使用的目的会在存取一段时间后进行交换区块的运作来平均磨损。现有交换区块的技术是针对快闪存储器的所有区块执行相同的交换区块运作规则。然而，目前已开始针对快闪存储器的区块进行分区并且以不同的使用方式来进行存取，使得不同区域的磨损状况不尽相同。因此，对所有区块使用同一交换区块运作规则会造成无谓的浪费。基此，有需要发展一平均磨损方法，其可有效地延长快闪存储器的寿命同时考量各区域的特性而避免系统资源的无谓浪费。 

发明内容

本发明提供一种平均磨损方法及控制器，其以不同的启动条件对多层存储单元(Multi Level Cell，MLC)NAND快闪存储器中不同程序方式的区块进行平均抹除程序，由此有效地延长快闪存储器的寿命同时考量各区域的特性而避免系统资源的无谓浪费。 

本发明提供一种平均磨损方法及控制器，其对MLC NAND快闪存储器中不同程序方式的区块进行不同的平均抹除程序，由此有效地延长快闪存储器的寿命同时考量各区域的特性而避免系统资源的无谓浪费。 

本发明提供一种平均磨损方法及控制器，其以不同的启动条件对快闪存储器模组中不同的快闪存储器进行平均抹除程序，由此有效地延长快闪存储器模组的寿命同时考量不同快闪存储器的特性而避免系统资源的无谓浪费。 

本发明提供一种平均磨损方法及控制器，其对快闪存储器模组中不同的快闪存储器进行不同的平均抹除程序，由此有效地延长快闪存储器模组的寿命同时考量不同快闪存储器的特性而避免系统资源的无谓浪费。 

本发明提出一种平均磨损方法，其适用于MLC NAND快闪存储器，MLCNAND快闪存储器包括具有多个区块的第一区域与具有多个区块的第二区域，且第一区域与第二区域的区块分别包括上页与下页，此平均磨损方法包括使用 不同的启动条件来分别判断在MLC NAND快闪存储器的第一区域与第二区域中是否启动平均抹除程序的交换区块运作；以及分别在第一区域与第二区域中进行交换区块运作，其中第一区域的区块仅使用下页来存取，并且第二区域的区块同时使用下页与上页来存取。 

在本发明的平均磨损方法中，上述的在第一区域中交换区块运作的启动条件为第一区域的抹除次数的第一计数值大于第一门限值，并且在第二区域中交换区块运作的启动条件为第二区域的抹除次数的第二计数值大于第二门限值，其中第一门限值大于第二门限值，且在执行交换区块运作之后会重置相对应的第一计数值或第二计数值。