[发明专利]快闪存储器平均磨损方法及其控制器

权利要求书

1.一种平均磨损方法，其适用于一多层存储单元NAND快闪存储器，该多 层存储单元NAND快闪存储器包括具有多个区块的一第一区域与具有多个区 块的一第二区域，且该第一区域与该第二区域的区块包括上页与下页，该平均 磨损方法包括：

当该第一区域的抹除次数的一第一计数值大于一第一门限值时，在该多层 存储单元NAND快闪存储器的该第一区域中启动一平均抹除程序的一交换区 块运作，在该第一区域与该第二区域中进行该交换区块运作并且在执行该交换 区块运作之后重置该第一计数值；以及

当该第二区域的抹除次数的一第二计数值大于一第二门限值时，在该多层 存储单元NAND快闪存储器的该第一区域中启动该平均抹除程序的该交换区 块运作，在该第二区域中进行该交换区块运作并且在执行该交换区块运作之后 重置该第二计数值，

其中该第一区域的区块仅使用下页来存取，并且该第二区域的区块同时使 用下页与上页来存取，

其中该第一门限值大于该第二门限值。

2.如权利要求1所述的平均磨损方法，其特征在于，当满足在该第一区域 中该交换区块运作的启动条件时，还包括判断一主机的写入指令为非连续写入 指令或将该第一计数值减去该第一门限值所获得的值大于一上限预设值时，才 在该第一区域中启动该交换区块运作；以及

其中当满足在该第二区域中该交换区块的启动条件时，还包括判断该主机 的写入指令为非连续写入指令或将该第二计数值减去该第二门限值所获得的 值大于一上限预设值时，才在该第二区域中启动该交换区块运作。

3.如权利要求2所述的平均磨损方法，其特征在于，当同时满足在该第一 区域中该交换区块运作的启动条件与在该第二区域中该交换区块运作的启动 条件时，仅在该第二区域中启动该交换区块运作。

4.如权利要求2所述的平均磨损方法，其特征在于，该交换区块运作是将 关联为该多层存储单元NAND快闪存储器的一资料区的一第一区块搬移至该 多层存储单元NAND快闪存储器的一备用区，并且将关联为该备用区的一第二 区块搬移至该资料区，同时将该第一区块的资料复制到该第二区块中。

5.一种平均磨损方法，其适用于一多层存储单元NAND快闪存储器，该多 层存储单元NAND快闪存储器包括具有多个区块的一第一区域与具有多个区 块的一第二区域，且该第一区域与该第二区域的区块包括上页与下页，该平均 磨损方法包括：

在该第一区域与该第二区域中分别执行一不耗资源平均抹除程序与一耗 资源平均抹除程序，

其中该第一区域的区块仅使用下页来存取，并且该第二区域的区块同时使 用下页与上页来存取，

其中该不耗资源平均抹除程序包括：计数该第一区域的抹除次数的一第一 计数值；以及当该第一计数值大于一第一门限值时，则将该第一区域中关联为 该多层存储单元NAND快闪存储器的一资料区的一第一区块搬移至该多层存 储单元NAND快闪存储器的一备用区，并且将该第一区域中关联为该备用区的 一第二区块搬移至该资料区，同时将该第一区块的资料复制到该第二区块中，

其中该耗资源平均抹除程序包括：计数该第二区域中每一所述多个区块的 抹除次数；计数该第二区域的抹除次数的一第二计数值；以及当该第二计数值 大于一第二门限值时，则将该第二区域中关联为该多层存储单元NAND快闪存 储器的一资料区的区块之中具相对小抹除次数的区块搬移至该多层存储单元 NAND快闪存储器的一备用区，并且将该第二区域中关联为该备用区的区块之 中具相对大抹除次数的区块搬移至该资料区，同时将该资料区中具相对小抹除 次数的该区块的资料复制到该备用区中具相对大抹除次数的该区块中。