[发明专利]薄膜晶体管阵列基板有效

专利信息
申请号: 200810003420.X 申请日: 2008-01-11
公开(公告)号: CN101483179A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: 王文俊;刘锦璋;王义方 申请(专利权)人: 胜华科技股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列
【说明书】:

技术领域

发明是关于一种具多域配向效果的薄膜晶体管阵列基板。

背景技术

现有利用介电异向性(dielectric anisotropy)为负的负型液晶材料,构成垂直配向(vertical alignment)的液晶配向方式,因未施加电压时液晶分子即以垂直基板方式排列,故可提供良好的对比(contrast)表现,然而,通常垂直配向式液晶显示器(vertically aligned LCD)为形成多域分割效果,其所匹配的结构会有些许漏光或是多域分割配置能力不足的情形。

图8为剖面示意图,显示一现有多域垂直配向液晶显示器(multi-domainvertically aligned LCD;MVA LCD)的设计。如图8所示,其于上、下基板102、104上分别形成凸体(bump)106,其上再形成覆盖凸体(bump)106的垂直配向膜108,使垂直配向的液晶分子112于未施加电压时即具有朝不同方向倾斜的预倾角,藉以控制施加电压后的液晶分子112倾斜方向。当施加电压后,液晶层即可分割为多个分别具不同倾斜方向的液晶微小区域,以有效改善不同观察角度的灰阶显示状态下的视角特性,再者,作为提供预倾角的区域边界规制结构(regulation structure)并不限定为凸体106,亦可如图9所示,于基板上形成凹面结构114亦可。

如图8及图9所示,形成凸体106或凹面结构114方式虽可达到制造多个液晶微小区域的效果,然而,在未施加电压(Voff)的状态下,比较穿透光I1及I2的光路可知,因该区域边界规制结构会导致液晶配向并非完全垂直,故行经倾斜液晶分子的穿透光I2光路会具有多余的光程差值(Δnd≠0)而造成漏光,因此,另需透过外贴补偿膜方式将漏光消除以提高对比。

图10为一剖面示意图,显示另一多域垂直配向液晶显示器的设计。如图10所示,利用于基板202的透明电极204上所形成的开缝(slit)206,可控制液晶分子208于施加电压后的倾倒方向,然而,于电极204处形成开缝206的方式,须仔细考虑开缝206本身宽度以及两开缝206之间的距离等等,否则通过开缝206产生使液晶分子208倾倒的力量容易不足,再者,该形成开缝206的设计,造成液晶分子208往左右任一方向转动的能量相等,而使液晶分子208于空间中的配向分布产生不连续的错向缺陷(disclination),该错向缺陷区域210于开缝206上方及两开缝206间皆容易形成,而降低整体光穿透率。

发明内容

因此,本发明的目的在提供一种薄膜晶体管阵列基板,其能以简化的驱动架构及较低成本获得良好的多域配向效果。

依本发明的一实施例,一种薄膜晶体管阵列基板包含一绝缘基板及形成于绝缘基板上的复数扫描线、复数数据线及复数像素单元。复数像素单元配合扫描线及数据线以区隔出各个像素单元并定义出一行方向及一列方向。各个像素单元包含一薄膜晶体管及一像素电极。薄膜晶体管与扫描线及数据线电性连接,像素电极具有至少一由边缘往内部延伸的开口及至少一沿列方向延伸的延伸部。像素电极的延伸部延伸进入于列方向相邻的另一像素电极的开口内,且同一扫描线于列方向间隔控制所述的这些像素单元。

依本发明的另一实施例,一种薄膜晶体管阵列基板包含一绝缘基板及形成于绝缘基板上的复数扫描线、复数数据线及复数像素单元。复数像素单元配合扫描线及数据线以区隔出各个像素单元且依横向及纵向分别定义出一行方向及一列方向。各个像素单元包含一薄膜晶体管及一像素电极。薄膜晶体管与扫描线及数据线电性连接,像素电极具有至少一由边缘往内部延伸的开口及至少一沿列方向延伸的延伸部。位于同一行的两相邻像素单元的薄膜晶体管分别搭接两相邻的不同扫描线,且位于同一列的两相邻像素单元的薄膜晶体管亦分别搭接两相邻的不同扫描线,以供每个像素单元的电压极性与其四周相邻的像素单元不同。

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