[发明专利]薄膜晶体管阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述的薄膜晶体管阵列基板包含：

一绝缘基板；

复数扫描线，形成于所述的绝缘基板表面；

一绝缘层，形成于所述的这些扫描线及所述的绝缘基板表面；

复数数据线，形成于所述的绝缘层表面；及

复数像素单元，配合所述的这些扫描线及所述的这些数据线以区隔出各所述的像素单元并定义出一行方向及一列方向，各所述的像素单元包含：

一薄膜晶体管，与所述的扫描线及所述的数据线电性连接；及

一像素电极，具有至少一由边缘往内部延伸的开口及至少一沿所述的列方向延伸的延伸部，所述的像素电极的所述的延伸部延伸进入于列方向相邻的另一像素电极的开口内，且同一扫描线于列方向间隔控制所述的这些像素单元；

其中位于同一行的两相邻像素单元的薄膜晶体管分别搭接两相邻的不同扫描线，且位于同一列的两相邻像素单元的薄膜晶体管亦分别搭接两相邻的不同扫描线，以使每个像素单元的电压极性与其四周相邻的像素单元不同。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述的像素电极开口位于所述的像素电极的中央部份，且所述的薄膜晶体管位于所述的像素电极的一侧。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述的这些扫描线的走向与所述的列方向相同，且同一扫描线轮流搭接其上方及下方像素单元的薄膜晶体管。

4.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，位于同一像素单元列的两相邻像素单元其薄膜晶体管于像素单元中的形成位置不同。

5.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述的像素电极经由所述的开口分隔为一第一电极区块及一第二电极区块，位于同一列的像素单元的薄膜晶体管交替设置于所述的第一及第二电极区块，且同一扫描线搭接于同列的所述的第一或第二电极区块的所述的薄膜晶体管，以形成间隔搭接相同列的像素电极。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述的薄膜晶体管的分布区域与所述的像素电极开口位置叠合。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，同一扫描线具有与所述的列方向相同走向的复数第一区段、及与所述的行方向相同走向的复数第二区段，所述的第一与所述的第二区段交替出现，且同一扫描线经由所述的这些第一区段轮流搭接所述的扫描线上方及下方像素单元的薄膜晶体管。

8.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，位于同一列的像素单元的两相邻像素单元其薄膜晶体管于像素单元中的形成位置相同。

9.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，同一扫描线围绕同一行的像素单元行中两相邻像素单元的两薄膜晶体管间的区域。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述的像素电极开口位于所述的像素电极的中央部份，所述的像素电极经由所述的开口分隔为一上电极区块及一下电极区块，且所述的扫描线围绕的两薄膜晶体管间区域包含分属不同像素电极的一上电极区块及一下电极区块。

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，同一像素单元的信号控制区域横跨有分别属于两相邻扫描线的一第一扫描线区段及一第二扫描线区段。

12.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，同一扫描线具有一第一扫描线区段及一第二扫描线区段，所述的第一扫描线区段横跨一第一像素单元列且所述的第二扫描线区段横跨与所述的第一像素单元列相邻的一第二像素单元列。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述的第一扫描线区段搭接所述的第一像素单元列中第奇数个像素单元的薄膜晶体管，且所述的第二扫描线区段搭接所述的第二像素单元列中第偶数个像素单元的薄膜晶体管。

14.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述的像素电极经由所述的开口分隔为一第一电极区块及一第二电极区块，且所述的像素电极具有两个沿列方向延伸且分别邻近所述的第一及所述的第二区块的延伸部。