[发明专利]LED封装件无效
| 申请号: | 200810002321.X | 申请日: | 2008-01-08 |
| 公开(公告)号: | CN101222012A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
| 发明(设计)人: | 李善九;柳根昌;金龙泰;宋怜宰 | 申请(专利权)人: | 三星电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;吴贵明 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | led 封装 | ||
相关申请交叉参考
本申请要求于2007年1月9日提交到韩国知识产权局的第2007-02599号韩国专利申请的优先权,其公开内容结合于此作参考。
技术领域
本发明涉及LED封装件,并且更具体地,涉及根据光发射的方向减少色彩偏差并提高光提取效率的LED封装件。
背景技术
随着电子设备工业的发展,已研发出了各种具有低能耗的小型且紧凑的显示装置。进一步,研发出了使用显示装置的光学装置,诸如视频装置、计算机、移动通信终端、以及闪光装置(flash)。
一般地,发光二极管(LED)是利用当电压被施加到半导体上时引起的冷光(也被称为电致发光)而生成光的发光元件。LED由具有发射波长在可见区或是近红外区、具有高发光效率、并且能够用来形成p-n结的材料形成。这些材料可以包括复合半导体,诸如氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、镓砷磷化物(GaAs1-xPx)、镓铝砷化物(Ga1-xAlxAs)、磷化铟(InP)、和铟镓磷化物(In1-xGaxP)。
与根据相关技术的光源进行比较,LED较小、具有长的寿命期限、具有高能量效率、并且具有低操作电压,因为电能被直接转换成光能。具有这些优点的LED被用作LCD背光组件的光源。
为了将LED用作白光源,要求将从LED发射出的光的波长进行转换的处理。这里,通常使用的技术包括:通过激发黄色荧光剂并同时使用蓝色LED作为光源产生白光的方法以及通过使用紫外线LED作为光源激发三原色荧光剂的方法。
图1是示出了根据相关技术的白光LED封装件的截面图。
参照图1,根据相关技术的LED封装件10包括LED芯片11、封装件主体12、第一引线框13a和第二引线框13b、导线、以及密封物14,密封物14被形成以密封封装件主体12的凹陷部16中的LED芯片11。一般地,在密封物14中包含有用于波长转换的荧光剂以发射白光。
在制造密封物14的过程中,通过将树脂注入凹陷部16来形成密封物14。在根据相关技术的LED封装件10中,由于注射时间的差异从而难以在密封物14与外部之间提供均匀的界面。
当密封物14与外部之间的界面不均匀时,从LED芯片11发射的光(由箭头指示)被发射到外部所沿的路径依据光发射的方向而相互差别很大。因此,根据光发射的方向利用荧光剂以不同的方式进行波长转换,按照从外部观看光的方向,这导致了高色彩偏差和光提取效率的高度偏差。
因此,需要一种按照从外部观看从LED封装件发射的光的方向减少色彩偏差的方法。
发明内容
本发明的一个方面提供了一种LED封装件,它按照光发射的方向减少色彩偏差并且提高光提取效率。
根据本发明的一个方面,提供了一种LED封装件,包括:封装件主体,包括形成为安装部分的凹陷部;第一引线框和第二引线框,安装于封装件主体以在凹陷部的下表面处露出;LED芯片,安装于凹陷部的下表面以电连接至第一引线框和第二引线框;以及密封物,通过混合透明树脂和荧光剂而形成并且形成在凹陷部内部以密封LED芯片。这里,从LED芯片上表面到密封物上表面的高度比LED芯片的高度大1到5倍。
荧光剂基于透明树脂的重量可以在30到300wt%(重量百分比)的范围内。
凹陷部下表面的宽度可以比LED芯片的宽度大1.5到3倍。
密封物的高度可以与凹陷部的深度相同。
凹陷部可以具有基于其下表面而朝向其上部倾斜的内侧壁。
凹陷部可以具有圆形或正方形的横截面。
荧光剂可以由发出不同波长光的多种材料组成以吸收从LED芯片发射的光并发射白光。
LED封装件可以进一步包括形成在封装件主体上部上以覆盖凹陷部的透镜。
附图说明
从随后结合附图进行的详细描述中,可以更清楚地理解本发明的上述和其它方面、特征和其它优点,其中:
图1是示出了根据相关技术的白光LED封装件的截面图。
图2是示出了根据本发明一个示例性实施例的LED封装件的截面图。
图3是示出了根据本发明另一个示例性实施例的LED封装件的截面图。
图4是示出了根据图3中所示实施例的LED封装件与根据相关技术的LED封装件之间光通量效率的比较的图表。
具体实施方式
现在将参照附图详细描述本发明的示例性实施例。
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