[发明专利]偏压一多阶单元存储器的方法

权利要求书

1.一种用以对一多阶单元存储装置施加偏压的方法，该多阶单元存储装置在一存储阵列中具有多个电荷捕捉存储单元，在该多个电荷捕捉存储单元中的每一该电荷捕捉存储单元具有2ⁿ个逻辑状态，每一该电荷捕捉存储单元具有一第一电荷捕捉位置以储存一第一位、以及一第二电荷捕捉位置以储存一第二位，其特征在于，该方法包括：

同时施加偏压至每一该多个电荷捕捉存储单元的一对应源极终端与一对应漏极终端，并施加一栅极电压至每一该多个电荷捕捉存储单元的一对应终端，以编程该多个电荷捕捉存储单元；

决定在每一该多个电荷捕捉存储单元中被过度编程的一位，决定该过度编程位是由读取该位的一电压值并与一参考电压值比对而达成，该过度编程位具有一源极终端、一漏极终端、以及一栅极终端；

由同时施加偏压至该过度编程位的该源极终端与该漏极终端，而擦除该过度编程位；以及

重新编程该已在该擦除操作中被擦除的该过度编程位。

2.如权利要求1所述的用以对一多阶单元存储装置施加偏压的方法，其特征在于，其中该编程步骤包括：

针对处于第一逻辑状态的每一该电荷捕捉存储单元，同时施加一第一源极电压至该对应源极终端、施加一第一漏极电压至该对应漏极终端，并施加该栅极电压至对应的栅极终端；

针对处于第二逻辑状态的每一该电荷捕捉存储单元，同时施加一第二源极电压至该对应源极终端、施加一第二漏极电压至该对应漏极终端，并施加该栅极电压至对应的栅极终端；

针对处于第三逻辑状态的每一该电荷捕捉存储单元，同时施加一第三源极电压至该对应源极终端、施加一第三漏极电压至该对应漏极终端，并施加该栅极电压至对应的栅极终端；以及

针对处于第四逻辑状态的每一该电荷捕捉存储单元，同时施加一第四源极电压至该对应源极终端、施加一第四漏极电压至该对应漏极终端，并施加该栅极电压至对应的栅极终端；

其中该栅极电压是为一恒定电压值，该第一源极电压与该第一漏极电压是为同一电压并大于该第二源极电压与该第二漏极电压，该第二源极电压与该第二漏极电压是为同一电压并大于该第三源极电压与该第三漏极电压，该第三源极电压与该第三漏极电压是为同一电压并大于该第四源极电压与该第四漏极电压。

3.如权利要求1所述的用以对一多阶单元存储装置施加偏压的方法，其特征在于，其中该编程步骤包括：

针对处于第一逻辑状态的每一该电荷捕捉存储单元，同时施加该源极电压至该对应源极终端、施加该漏极电压至该对应漏极终端，并施加一第一栅极电压至对应的栅极终端；

针对处于第二逻辑状态的每一该电荷捕捉存储单元，同时施加该源极电压至该对应源极终端、施加该漏极电压至该对应漏极终端，并施加一第二栅极电压至对应的栅极终端；

针对处于第三逻辑状态的每一该电荷捕捉存储单元，同时施加该源极电压至该对应源极终端、施加该漏极电压至该对应漏极终端，并施加一第三栅极电压至对应的栅极终端；以及

针对处于第四逻辑状态的每一该电荷捕捉存储单元，同时施加该源极电压至该对应源极终端、施加该漏极电压至该对应漏极终端，并施加一第四栅极电压至对应的栅极终端。

4.如权利要求1所述的用以对一多阶单元存储装置施加偏压的方法，其特征在于，其中由同时施加偏压至该过度编程位的该源极终端与该漏极终端，而擦除该过度编程位的步骤中，是同时施加相同的偏压。

5.如权利要求1所述的用以对一多阶单元存储装置施加偏压的方法，其特征在于，在该擦除步骤之后，还包括由同时施加偏压至该过度编程位的该源极终端与漏极终端、并施加一正栅极电压至该过度编程位的栅极终端，以重新编程该过度编程位。

6.如权利要求1所述的用以对一多阶单元存储装置施加偏压的方法，其特征在于，其中每一该电荷捕捉存储单元包括一第一电荷捕捉位置与一第二电荷捕捉位置，该第一电荷捕捉位置是储存该第一位与一第三位，该第二电荷捕捉位置是储存该第二位与一第四位。

7.如权利要求1所述的用以对一多阶单元存储装置施加偏压的方法，其特征在于，其中该编程步骤包括一电子注入技术。

8.如权利要求1所述的用以对一多阶单元存储装置施加偏压的方法，其特征在于，其中该擦除步骤包括一空穴注入技术。

9.如权利要求1所述的用以对一多阶单元存储装置施加偏压的方法，其特征在于，其中该存储阵列包括一与非存储阵列。