[发明专利]多层基底及具有该多层基底的电子装置有效
申请号: | 200810001765.1 | 申请日: | 2008-01-08 |
公开(公告)号: | CN101222824A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 金泳奭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H05K3/46 | 分类号: | H05K3/46;H05K1/11;H05K3/40 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;冯敏 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多层 基底 具有 电子 装置 | ||
1.一种多层基底,包括:
多个基底主体;
多个层,与基底主体交替地成层;
信号过孔,与信号线连接,并包括穿过至少一个基底主体的信号柱;
子过孔,包括围绕信号柱的子柱和从子柱的端部延伸而形成在层上的一对子焊盘,
其中,形成有子焊盘的层设置在与形成有与信号过孔连接的信号线的层相同的层中,或者设置在形成有与信号过孔连接的信号线的层的外部。
2.根据权利要求1所述的多层基底,其中,如果形成有至少一个子焊盘的层是与形成有与信号过孔连接的至少一条信号线的层相同的层,则至少一个子焊盘和至少一条信号线与所述层形成在同一平面内,与所述信号线形成在所述同一平面内的子过孔包括与所述信号线隔开的间距部分。
3.根据权利要求1所述的多层基底,其中,如果形成有至少一个子焊盘的层设置在形成有与信号过孔连接的至少一条信号线的层的外部,则子柱形成有至少一条信号线穿过的贯穿部分。
4.根据权利要求2或权利要求3所述的多层基底,其中,基底主体具有作为基底电介质的特征,子电介质设置在信号柱和子柱之间,所述子电介质包含与基底电介质的材料相同的材料。
5.根据权利要求2或权利要求3所述的多层基底,其中,基底主体具有与基底电介质的特性相同的特性,子电介质设置在信号柱和子柱之间,所述子电介质包含与基底电介质的材料不同的材料。
6.根据权利要求1所述的多层基底,还包括连接信号柱和子柱的支撑件。
7.根据权利要求1所述的多层基底,其中,子焊盘接地。
8.一种多层基底,包括:
多个基底主体;
多个层,与基底主体交替地成层;
信号过孔,与信号线连接,并包括穿过至少一个基底主体的信号柱;
子过孔,包括围绕信号柱的子柱和从子柱的端部延伸而形成在层上的一对子焊盘;
支撑件,连接信号柱和子柱,
其中,形成有子焊盘的层设置在形成有与信号过孔连接的信号线的层的内部。
9.根据权利要求8所述的多层基底,其中,多层基底借助于基底主体的特性形成基底电介质,子电介质设置在信号柱和子柱之间,所述子电介质包含与基底电介质的材料不同的材料。
10.一种多层基底,包括:
多个基底主体;
多个层,与基底主体交替地成层;
信号过孔,与第一信号线和第二信号线连接,并包括穿过至少一个基底主体的信号柱;
子过孔,包括围绕信号柱的子柱和从子柱的端部延伸而形成在层上的一对子焊盘,
其中,形成有第一子焊盘的层设置在形成有与信号过孔连接的第一信号线的层的外部,
形成有第二子焊盘的层设置在形成有与信号过孔连接的第二信号线的层的内部。
11.根据权利要求10所述的多层基底,其中,子柱形成有第一信号线或第二信号线中的一条穿过的贯穿部分。
12.根据权利要求10所述的多层基底,其中,基底主体具有作为基底电介质的特征,子电介质设置在信号柱和子柱之间,所述子电介质包含与基底电介质的材料相同的材料。
13.根据权利要求10所述的多层基底,其中,基底主体具有作为基底电介质的特征,子电介质设置在信号柱和子柱之间,所述子电介质包含与基底电介质的材料不同的材料。
14.根据权利要求10所述的多层基底,还包括连接信号柱和子柱的支撑件。
15.根据权利要求10所述的多层基底,其中,子焊盘接地。
16.一种电子装置,包括:
根据权利要求1、权利要求8或权利要求10所述的多层基底。
17.一种多层基底,包括:
多个基底主体;
多个层,与基底主体交替地成层;
信号过孔,与至少一条信号线连接,并包括穿过至少一个基底主体的信号柱和连接到信号柱的信号焊盘;
子过孔,包括信号柱外部的子柱和连接到子柱的子焊盘,其中,沿着与多个层中的形成有信号线的一个层的平面相同的平面设置子焊盘。
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