[发明专利]用于设计集成电路的方法、设备以及计算机程序产品

说明书

技术领域

本发明一般涉及半导体设计和，更具体而言，涉及对于这样的设计的关键面积的显示和修改。

背景技术

对于半导体工业，准确的预测和改善特定制造工艺的晶片成品率的能力变得日益重要。成品率预测用于投标和产能确定，因此，直接和生产设备的盈利率挂钩。明显地，改善成品率的能力是希望的。

成品率预测的一个方面是确定设计对于由灰尘、材料和设备引入的微粒污染物导致的随机缺陷的敏感度。在过去的三十年中，半导体工业使用随机缺陷成品率预测建模来确定设计对微粒污染物的敏感度。

随机缺陷建模的中心概念是关键面积(critical area)的概念，该关键面积为这样的量化，其量化了半导体设计的哪些部分对于来自微粒污染物的特定缺陷失效机制是敏感的。这些微粒污染物可产生导致不同导电区域之间的短路的多余(extra)材料缺陷，和导致开路的缺失(missing)材料缺陷。

可以使用设计的关键面积与各种随机缺陷成品率预测建模技术例如蒙特卡洛(Monte Carlo)和形状移动以确定设计对由微粒污染物所导致的缺陷失效的敏感度。

尽管这些技术为设计者提供了设计对微粒缺陷失效有多么敏感的信息，但它们不能提供关于可以如何通过设计的版图形状边缘改善设计的敏感度的任何信息。

因此，具有这样的一种方法、系统、以及计算机程序产品将是明显有益的，所述方法、系统、以及计算机程序产品能以允许设计者改善设计对于各种类型的失效的敏感度的方式提供用于缺陷的设计的关键面积和涉及版图形状边缘的信息。

发明内容

在一个方面中，本发明是一种设计集成电路的方法。所述方法包括这样的步骤：产生Voronoi图以表示集成电路的设计的关键面积，所述Voronoi图具有一个或多个等分线，其中所述一个或多个等分线中的每一个等分线表示在所述设计的一个或多个对应的边缘之间的相互作用。所述方法还包括这样的步骤：视觉识别所述一个或多个对应的边缘的部分以及它们彼此的相互作用。

附图说明

通过结合附带的说明并参考附图可较好地理解本发明，并且其优点对本领域技术人员将变得更显而易见。

图1是示例了增加了材料但未造成故障的一些微粒的图；

图2是示例了开放(open)类型故障的图；

图3是示例了过孔阻挡(block)类型故障的图；

图4是示例了两个线网(net)A和B以及用于点(x，y)的关键面积的图；

图5是示例了具有在边缘A与多个相互作用的边缘之间出现的由圆圈所指示的开放的单个线网的图；

图6是示例了具有一对线网A和B的设计的图，该对线网A和B由具有可以彼此相互作用的边缘的形状所限定；

图7是根据本发明的教导示例了用于图6的线网A和B之间的短路的Voronoi区域的实例的图；

图8是根据本发明的教导示例了线网A和B上的相互作用的边缘的一部分的图；

图9是根据本发明的教导关于选择的产生器更详细地示例了图8的Voronoi区域的实例的图；

图10是根据本发明的教导示例了具有用于形成产生器的相互作用的边缘的视觉指示的图9的Voronoi区域的图；

图11是根据本发明的教导示例了用于短路的高贡献误差矢量的图；

图12是根据本发明的教导示例了用于开路的高贡献误差矢量的图；以及

图13是根据本发明的教导示例了可进行设计的相互作用的边缘的视觉指示的计算机系统的框图。

具体实施方式

本发明是一种方法、设备、以及计算机程序产品，其用于视觉指示有助于限定关键面积图形的设计的一个或多个边缘之间的相互作用。更具体而言，产生了用于设计的Voronoi图并将其等分线分配到一个或多个相互作用的边缘。使用这些等分线以产生识别彼此相互作用的边缘的部分的多边型区域。根据预定的标准向设计者提供视觉提示，该视觉提示指示了相互作用的严重程度。

故障的类型

关键面积是这样的量化，其量化了半导体芯片的哪些部分对于具体缺陷失效机制是敏感的，并用于预测归因于作为特定故障机制的函数的随机缺陷的芯片的成品率损失。故障机制被定义为方式，其中随机缺陷造成了基于触发版图边缘的类型的故障(对操作的芯片的电击穿(disruption))。增加材料或导致缺失材料的外来物质造成故障，例如下面所描述的那些。