[发明专利]显示装置用基板、显示装置以及配线基板有效

专利信息
申请号: 200780051942.0 申请日: 2007-12-19
公开(公告)号: CN101617352A 公开(公告)日: 2009-12-30
发明(设计)人: 北角英人 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;G02F1/1343;G02F1/1362;H01L21/3205;H01L21/336;H01L23/52;H01L29/786
代理公司: 北京市隆安律师事务所 代理人: 权鲜枝
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 用基板 以及 配线基板
【说明书】:

技术领域

本发明涉及显示装置用基板、显示装置以及配线基板。更详细地说,涉及适合于配线设计自由度良好的液晶显示装置等显示装置的显示装置用基板和显示装置,以及适合于配线层断线、配线层图案化不良等配线不良较少的配线基板的配线基板。 

背景技术

近年来,液晶显示装置作为包括显示装置用基板而构成的显示装置而广泛普及。液晶显示装置由于具有小型、薄型、低功耗以及重量较轻的特征而被应用于各种电子设备中。其中,在每个像素中具有开关元件的有源矩阵基板型液晶显示装置被广泛应用于例如个人计算机等OA设备、电视机等AV设备、便携电话等便携设备等中。 

图12是表示用于液晶显示装置的以往的显示装置用基板的示意图,(a)是平面图,(b)是(a)中的X8-Y8线的截面图。如图12所示,以往的显示装置用基板11具备设置在基板1110的一方主面侧的基底层1111、像素开关用晶体管1113a、1113b、栅极电极1119a、1119b、多个栅极配线1118、保持电容下层电极1122、多个保持电容配线(保持电容上层电极)1121、像素数据保持电容元件1120、多个数据配线1115、具有接触孔1154a、1154b的第一层间绝缘膜1151、具有接触孔1155的第二层间绝缘膜1152、像素电极1116以及用于连接像素电极1116和晶体管1113b的源极、漏极区域的连接部1117。 

另外,显示装置用基板11具有从基板1110侧起将基底层1111、半导体层1130、栅极绝缘膜1112、第一配线层1141、第一层间绝缘膜1151、第二配线层1142、第二层间绝缘膜1152以及像素电极1116按该顺序层叠到基板1110的一方主面侧的结构。 

此外,像素数据保持电容元件1120由通过半导体层形成的保持电容下层电极1122和通过第一配线层1141形成的保持电容配线 1121构成。即,保持电容配线1121的与保持电容下层电极1122相对的区域发挥保持电容上层电极的作用。另外,栅极配线1118由电阻率高的高熔点金属、多晶硅形成。另外,数据配线1115与栅极配线1118和保持电容配线1121交叉(正交)配置,并且数据配线1115与栅极配线1118和保持电容配线1121之间的层间通过第一层间绝缘膜1151保持绝缘。并且,第一层间绝缘膜1151是通过等离子CVD法、溅射法等使用包含硅的无机绝缘材料(例如SiO2、SiN、SiNO)形成的。而且,位于第二配线层1142的数据配线1115和连接部1117是通过光刻工序对形成在第一层间绝缘膜1151上的导电层进行图案化来形成的。 

近年来,在这种液晶显示装置中,进一步要求高精细化、提高像素有效面积比率(高开口率化)、提高显示质量、提高低功耗等特性。 

对此,作为能够应对像素区域细微化的驱动器内置型液晶显示面板,公开了如下的驱动器内置型液晶显示面板(例如,参照专利文献1。),其在同一透明基板上具有矩阵阵列和驱动电路,所述矩阵阵列具备与薄膜晶体管的栅极导电连接的栅极配线、通过下层侧层间绝缘膜的连接孔与其源极导电连接的第一数据配线以及与该数据配线的表面导电连接并构成多重配线结构的第二数据配线,所述驱动电路驱动该矩阵阵列,具备各配线层通过上述下层侧层间绝缘膜和上层侧层间绝缘膜而层间分离的3层配线结构,上述第一和第二数据配线中的至少1层由与上述驱动电路侧的各配线层中的任一层相同的材料构成。 

另外,作为在像素区域和驱动电路中采用与功能对应的结构、能提高显示质量的驱动器内置型有源矩阵显示面板,公开了一种在由扫描线和信号线划分形成的像素区域中具有上层侧层间绝缘膜和像素电极的驱动器内置型有源矩阵显示面板(例如,参照专利文献2。),其中,所述扫描线与薄膜晶体管的栅极电极导电连接,所述信号线是在形成于其上层侧的下层侧层间绝缘膜的表面侧通过在上述下层侧层间绝缘膜和上述薄膜晶体管的栅极绝缘膜中开口 的第一连接孔而与上述薄膜晶体管的源极导电连接的抗蚀刻性较高的信号线,所述上层侧层间绝缘膜形成于上述信号线的上层侧,所述像素电极形成在该上层侧层间绝缘膜的表面侧,成为端部接近划分形成自身所属的像素区域的信号线的上方位置的状态,通过在上述上层侧层间绝缘膜、上述下层侧层间绝缘膜以及上述栅极绝缘膜中开口的第二连接孔与上述薄膜晶体管的漏极导电连接。 

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