[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法以及存储介质

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，具有处理容器和在所述处理容器内设 置的载置台，利用将处理气体等离子体化而得到的等离子体，对载置 于所述载置台上的基板进行处理，其特征在于，包括：

在所述处理容器的上部与所述载置台相对置地设置的第1电极和 第2电极；

对所述第1电极和所述第2电极之间供给处理气体的气体供给部， 该气体供给部，位于所述第1电极和所述第2电极上方，与所述载置 台相对置，并具有贯通设置有大量气体供给孔的板状体；

与所述第1电极和所述第2电极中的至少一方相连接，对这些电 极间施加高频电力，以使供给到所述第1电极和所述第2电极之间的 所述处理气体等离子体化的高频电源部；以及

连结在所述处理容器的下部，对该处理容器内的气氛进行真空排 气的排气装置；

在所述气体供给部的下表面，形成有相互平行地在横向隔着间隔 延伸的多个线状突起，所述线状突起作为所述第1电极和所述第2电 极中的一方的一部分而构成，所述第1电极和所述第2电极中的另一 方位于所述线状突起的侧方或者下方。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述线状突起以直线状或者环状形成。

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述气体供给部中，设有对该气体供给部进行调温的调温机构。

4.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述处理容器由金属构成，设有对该处理容器进行调温的调温机 构。

5.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第1电极和所述第2电极，分别具有水平方向平行状伸出的 多个齿部，所述第1电极的齿部和所述第2电极的齿部交替排列。

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第1电极和所述第2电极，分别具有在水平方向相对置的基 部，所述第1电极的齿部和所述第2电极的齿部，从所述基部以相互 相对的方式伸出。

7.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第1电极和所述第2电极，分别由不同直径的同心环状构件 构成。

8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

构成所述第1电极的环状构件和构成所述第2电极的环状构件， 至少一方设置多个并交替配置，越向外侧则相邻的所述第1电极的环 状构件和所述第2电极的环状构件之间的间隔越窄。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第1电极和/或第2电极中，设有使其整个表面的电位均匀化 的孔，该孔贯穿各电极而设置。

10.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述高频电源由第1高频电源构成，在所述载置台设置有下部电 极，所述下部电极与第2高频电源连接，该第2高频电源施加高频电 力，通过偏压将等离子体化的所述处理气体引入所述基板。

11.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述第1电极和所述第2电极中的所述另一方，具有对电极进行 调温的调温流体的流路。