[发明专利]I-MOSFET制造方法

权利要求书

1.一种制造I-MOS的方法，包括步骤：

在掩埋绝缘层(4)上提供半导体层(2)；

形成栅极结构(23)，其包括半导体层(2)上的栅极电介质层(6) 和多晶硅栅极层(10)的堆叠(14)，该栅极结构(23)具有相对的第 一侧(20)和第二侧(22)；

用第一抗蚀剂层(24)对栅极结构(23)的第二侧(22)上的半导 体层(2)施加掩模；

进行注入以对所述堆叠的第一侧的第一区域(28)掺杂第一导电类 型；

去除第一抗蚀剂层(24)；

选择性地蚀刻掉栅极结构(23)以留下与第一区域(28)隔开的堆 叠(14)；

用第二抗蚀剂层(32)对栅极结构(23)的掺杂第一侧(20)上的 半导体层(2)施加掩模；以及

进行注入(34)以对处在堆叠(14)的第二侧(22)并且与该堆叠 相邻的半导体层(2)的第二区域(36)掺杂与第一导电类型相反的第二 导电类型。

2.如权利要求1所述的方法，其中，选择性地蚀刻掉栅极结构(23) 的步骤包括HF湿法蚀刻。

3.如权利要求2所述的方法，其中，栅极结构(23)包括处在所述 堆叠第一侧(20)的第一隔离层(16)和处在所述堆叠第二侧(22)的 第二隔离层(18)；以及

选择性地蚀刻掉栅极结构(23)的步骤包括在所述堆叠的第二侧(22) 进行倾斜注入；以及

在第一隔离层(16)和第二隔离层(18)上进行HF湿法蚀刻，以从 所述堆叠的第二侧(22)去除第二隔离层(18)，留下所述堆叠的第一 侧(20)上的第一隔离层(16)的至少一部分。

4.如权利要求3所述的方法，其中，倾斜注入是以与半导体层(2) 的垂直方向成15°至75°的角度倾斜注入氩或氙。

5.如权利要求1或2所述的方法，还包括步骤：在对栅极结构的第 一侧和第二侧上的半导体层施加掩模的步骤之前进行氮注入，以在所述 堆叠的第二侧(22)上创建氮注入区域(42)；

其中，选择性地蚀刻掉栅极结构(23)的步骤包括在所述堆叠(14) 上进行氧化步骤以在所述堆叠的第一侧(20)上形成第一氧化物层(44) 并且在所述堆叠的第二侧(22)上形成第二氧化物层(46)，其中，第 一氧化物层的厚度比第二氧化物层的厚度厚；以及

进行湿法蚀刻以蚀刻掉第一氧化物层(44)和第二氧化物层(46)。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述堆叠(14)包括栅极电介 质层(6)、栅极电介质层(6)上的金属栅极层(8)以及金属栅极层(8) 上的多晶硅栅极层(10)，并且其中，进行湿法蚀刻的步骤包括进行HF 湿法蚀刻，其后进行蚀刻以去除通过HF湿法蚀刻暴露出的金属栅极层 (8)。

7.如权利要求5所述的方法，其中，进行氮注入的步骤以与半导体 层的垂直方向成15°至75°的倾斜角度进行。

8.如权利要求6所述的方法，其中，进行氮注入的步骤以与半导体 层的垂直方向成15°至75°的倾斜角度进行。