[发明专利]闪速存储器及相关方法有效
| 申请号: | 200780048999.5 | 申请日: | 2007-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN101573762A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
| 发明(设计)人: | D·埃尔姆赫尔斯特;G·桑廷;M·因卡纳蒂;V·莫夏诺;E·多里奥 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/10 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 朱海煜;徐予红 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储器 相关 方法 | ||
技术领域
一般来说,本主题涉及非易失性存储器装置,更具体来 说,涉及在闪速存储器装置中读取和写入数据。
背景技术
非易失性存储器装置在消费电子产品中越来越普遍。非 易失性存储器装置的一个示例是闪速存储器装置,它将信息存储在半 导体装置中而无需电力来保持所述信息。
需要在闪速存储器装置中读取和写入数据的改进的方 法。
发明内容
按照本发明的第一方面的一种用于在闪速存储器装置中读取和 写入数据的方法,包括:
对闪速存储器单元编程;
将字线电压施加到所述闪速存储器单元;
在多个时间间隔上感测所述闪速存储器单元的状态,以便生成指 明所述闪速存储器单元的状态的多个数据,包括:
在第一时间将耦合到所述闪速存储器单元的位线与感测电 容耦合,以便生成第一数据;
在第一时间将第一脉冲施加到耦合在所述位线和所述感测 电容之间的偏压晶体管;
在第二时间将所述位线与所述感测电容耦合,以便生成第二 数据;
在第二时间将第二脉冲施加到所述偏压晶体管;以及
将读取电压施加到所述闪速存储器单元;
在第三时间将第三脉冲施加到所述偏压晶体管;
在第四时间将第四脉冲施加到所述偏压晶体管,所述第三脉冲和 所述第四脉冲分别具有与所述第一脉冲和所述第二脉冲相同的时长 并且以相同的时间间隔发生,使得所述位线在所述闪速存储器单元的 编程被检验时并且在所述闪速单元被读取时以相同的时间间隔与所 述感测电容耦合;以及
在所述第四时间之后锁存来自所述感测电容的数据,以便读取所 述闪速存储器单元的状态。
按照本发明的一种用于在闪速存储器装置中读取和写入数据的 装置,包括:
用于对闪速存储器单元编程的部件;
用于将字线电压施加到所述闪速存储器单元的部件;以及
用于在多个时间间隔上感测所述闪速存储器单元的状态以便生 成指明所述闪速存储器单元的状态的多个数据的部件。
按照本发明的第二方面的一种用于在闪速存储器装置中读取和 写入数据的方法,包括:
在NAND闪速存储器中对所选闪速存储器单元编程;
在多个时间间隔上感测所选闪速存储器单元的状态,以便生成指 明所选闪速存储器单元的状态的多个数据;
切断所述NAND闪速存储器的高速缓冲存储器中的锁存器;
在所述锁存器被切断的同时对所述锁存器进行初始化;
将读取电压施加到所述NAND闪速存储器中的所选闪速存储器 单元的栅极,所选闪速存储器单元与位线耦合;
将所述位线与所述锁存器的输入端耦合,同时所述位线上的电压 由于与所选闪速存储器单元耦合的所述读取电压而改变,并且所述锁 存器被切断;以及
接通所述锁存器,以便基于所述位线上的电压来锁存数据。
按照本发明的一种系统中的用于在闪速存储器装置中读取和写 入数据的装置,所述系统包括:
单向天线;
显示器;
用于对闪速存储器单元编程的部件;
用于将字线电压施加到所述闪速存储器单元的部件;以及
用于在多个时间间隔上感测所述闪速存储器单元的状态,以便生 成指明所述闪速存储器单元的状态的多个数据的部件。
附图说明
图1示出根据各个实施例的存储器系统的框图。
图2示出根据各个实施例的存储器电路的电气示意图。
图3示出根据各个实施例的编程检验操作的时序图。
图4A和图4B示出根据各个实施例的编程检验操作的 电压。
图5示出根据各个实施例的读操作的时序图。
图6示出根据各个实施例的存储器电路的电气示意图。
图7示出根据各个实施例的读操作的时序图。
图8示出根据各个实施例的若干方法的流程图。
图9示出根据各个实施例的若干方法的流程图。
图10示出根据各个实施例的移动数据处理机器的框 图。
图11示出根据各个实施例的存储器组件的框图。
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