[发明专利]闪速存储器及相关方法

权利要求书

1.一种用于在闪速存储器装置中读取和写入数据的方法，包括：

对闪速存储器单元编程；

将字线电压施加到所述闪速存储器单元；

在多个时间间隔上感测所述闪速存储器单元的状态，以便生成指 明所述闪速存储器单元的状态的多个数据，包括：

在第一时间将耦合到所述闪速存储器单元的位线与感测电 容耦合，以便生成第一数据；

在第一时间将第一脉冲施加到耦合在所述位线和所述感测 电容之间的偏压晶体管；

在第二时间将所述位线与所述感测电容耦合，以便生成第二 数据；

在第二时间将第二脉冲施加到所述偏压晶体管；以及

将读取电压施加到所述闪速存储器单元；

在第三时间将第三脉冲施加到所述偏压晶体管；

在第四时间将第四脉冲施加到所述偏压晶体管，所述第三脉 冲和所述第四脉冲分别具有与所述第一脉冲和所述第二脉冲相同的 时长并且以相同的时间间隔发生，使得所述位线在所述闪速存储器单 元的编程被检验时并且在所述闪速单元被读取时以相同的时间间隔 与所述感测电容耦合；以及

在所述第四时间之后锁存来自所述感测电容的数据，以便读 取所述闪速存储器单元的状态。

2.如权利要求1所述的方法，其中，感测所述闪速存储器单元 的状态的步骤包括：

在第一时间间隔上感测与所述闪速存储器单元耦合的位线上的 第一电压；以及

在第二时间间隔上感测所述位线上的第二电压。

3.如权利要求2所述的方法，还包括：

将所述第一电压与基准电压进行比较，以便生成第一数据；

将所述第二电压与所述基准电压进行比较，以便生成第二数据； 以及

将所述第二数据存储在第一锁存器中，并且将所述第一数据存储 在第二锁存器中。

4.如权利要求3所述的方法，其中：

将所述第一电压与基准电压进行比较的步骤包括通过锁存晶体 管把来自感测电容的所述第一电压施加到第一锁存电路中的反相器 的输入端，以便将所述第一电压与所述反相器的阈值电压进行比较；

将所述第二电压与所述基准电压进行比较的步骤包括通过所述 锁存晶体管把来自所述感测电容的所述第二电压施加到所述第一锁 存电路中的所述反相器的输入端，以便将所述第二电压与所述反相器 的阈值电压进行比较；以及

存储所述第二数据的步骤包括：

将所述第二数据存储在所述第一锁存电路中，所述第一锁存电路 包括一对反相器，各反相器的输出端与另一个反相器的输入端耦合， 以便保持所述第二数据；以及

将所述第一数据存储在所述第二锁存电路中，所述第二锁存电路 包括一对反相器，各反相器的输出端与另一个反相器的输入端耦合， 以便保持所述第一数据。

5.如权利要求1所述的方法，其中，感测所述闪速存储器单元 的状态的步骤包括在多个时间间隔上选通与所述闪速存储器单元耦 合的位线，以便生成指明所述闪速存储器单元的状态的多个数据。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一时间将预编程序检验电压施加到所述闪速存储器单 元的栅极；以及

在所述第二时间将程序检验电压施加到所述闪速存储器单元的 栅极，所述程序检验电压大于所述预编程序检验电压，以便在编程脉 冲已经施加到所述闪速存储器单元的栅极之后检验所述闪速存储器 单元的状态。

7.如权利要求1所述的方法，其中，对闪速存储器单元编程的 步骤包括将保持四个或更多阈值电压其中之一的多态闪速存储器单 元编程为擦除状态或者编程为三个或更多阈值电压其中之一。