[发明专利]具有直通芯片连接的前端处理晶片

说明书

技术领域

本发明涉及半导体，并且尤其涉及用于这种器件的电连接。

相关申请的交叉引用

本申请依据35U.S.C.119(e)要求2006年12月29日提交的序列号 60/882,671的美国临时申请的优先权权益，并且还作为2006年6月6日 提交的第11/422,551号美国专利申请的部分继续，其全部内容通过引用 被结合在本文中，如同在本文中全部阐述。

背景技术

往往希望能够以有效的方式贯穿芯片形成电连接以便于将其连接到 另一个元件。在多数情况下，与用传统方法所做的一样，这意味着过孔 的使用并涉及连接，这些连接与形成在芯片的周边上或周边附近的连接 相对地形成在芯片的器件的附近。

在完全处理的(即器件支承(device-bearing))芯片上使用贯穿芯片过 孔的一个缺点是完全形成的芯片显著地比一片可比较的空白晶片或部分 处理的芯片的成本更昂贵。如果在用于电连接的过孔的对准中产生错误， 则可能损坏在芯片或一个或多个金属化层上的器件，或者不能形成希望 的连接。

在两种情况下，结果都可能是无用的芯片，需要废弃该芯片。

发明内容

我们已经发明了一种方法，以使与器件支承芯片一起使用的贯穿芯 片电连接的使用有关的风险和成本最小化。

利用一种包括在空白晶片上形成贯穿芯片连接的实施方式，有利地 消除了损坏器件的风险(因为没有器件损坏)。此外，如果发生提供的晶 片不能用的问题，也降低成本影响，因为晶片还没有进行任何器件形成 或后端处理过程。

另一种实施方式包括在已经形成器件的晶片上形成贯穿芯片连接， 但是还没有完成添加金属互连层的后端处理。利用该实施方式，在第一 金属层沉积之后但在第二金属层沉积之前，或者一般地说，在可能作为 后端处理的一部分沉积的任何“n”层沉积之前，可以在没有污染风险的 情况下形成可能对处理非常灵敏并且需要平坦的极其没有缺点的区域的 晶体管，从而提高晶体管产量，同时还获得选路的益处，因为过孔可以 在后端处理期间在第一金属层沉积之前形成。

在本文中说明的优点和特征是可以从代表性的实施例中获得的众多 优点和特征中的几个，并且仅为了帮助理解本发明而给出。应当理解它 们并不被认为是对如权利要求所限定的本发明的限制，或者对权利要求 的等同物限制。例如，一些优点是互相对立的，因为它们不能同时存在 于单个实施例中。类似地，一些优点适用于本发明的一个方面，而不适 用于其他方面。因此，特征和优点的总结不应当被认为在确定等同物是 决定性的。本发明的附加的特征和优点将在以下说明中从附图中以及从 权利要求书中变得显而易见。

附图说明

图1以简化的形式图解了将要用于说明处理的空白晶片的部分；

图2以简化的形式图解了在过孔形成之后的图1的晶片的部分；

图3以简化的形式图解了在已经用金属填充了简单过孔和环状过孔 的其中之一之后的图2的过孔；

图4以简化的形式图解了在完成前端处理之后的图1的晶片的部分；

图5以简化的形式图解了将要用于说明替代处理的前端处理晶片的 部分；

图6以简化的形式图解了在过孔形成之后的前端处理晶片的部分；

图7以简化的形式图解了在其已经填充有所需的导电填充材料之后 的图6的过孔；

图8以简化的形式图解了已经在后端处理期间添加了金属-1层之后 的图7的结构；和

图9A至9D图解了变化方法中的顺序步骤。

具体实施方式