[发明专利]具有直通芯片连接的前端处理晶片

权利要求书

1.一种处理半导体晶片的方法，其特征在于，包括：

在半导体晶片中形成多个过孔；

使所述多个过孔中的至少一些过孔导电；

使用与用于使所述多个过中的一些过孔导电的相同的处理，在所述 多个过孔之上形成金属化层；以及

在形成所述金属化层之后在所述半导体晶片上执行后端处理，

在所述后端处理的执行开始之后，但在所述后端处理的执行完成之 前，对所述半导体晶片上的器件执行功能测试。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述使所述多个过孔中 的至少一些过孔导电包括在过孔中配置金属、金属合金或多晶硅的其中 之一，并且其中在形成金属化层的同时进行所述配置。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述配置包括：

将固体光致抗蚀剂涂布至所述半导体晶片；

使所述固体光致抗蚀剂图案化；

将籽晶层设置于通过所述图案化而露出的区域；以及

电镀所述籽晶层以在所述过孔中配置电镀材料以及形成所述金属化 层。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述涂布固体光致抗蚀 剂包括在至少一个过孔之上涂布固体光致抗蚀剂，使得所述过孔不会在 所述电镀所述籽晶层期间被填充有电镀材料。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成多个过孔包括 形成环状过孔。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述形成环状过孔包括 通过局部贯穿所述半导体晶片形成所述环状过孔。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，进一步包括用导电材料 填充所述环状过孔。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括去除由所述 环状过孔所围绕的中心柱。

9.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述使所述多个过孔中 的至少一些过孔导电包括：

用绝缘体填充所述环状过孔；以及

对由所述环状过孔围绕的中心柱掺杂以使所述中心柱导电。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在前端处理中进行所 述掺杂，所述方法进一步包括去除所述半导体晶片的底部。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：

利用光致抗蚀剂覆盖所述过孔，通过图案化露出部分过孔，利用导 电材料填充所述部分过孔，形成金属化层，露出其他过孔，利用导电材 料填充所述其他过孔，并且形成金属化层。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶片是空 白晶片，所述方法进一步包括在所述形成多个过孔以及所述使所述多个 过孔中的至少一些过孔导电之后，在所述半导体晶片上形成器件。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体晶片是器 件支承半导体晶片，所述方法进一步包括在所述使所述多个过孔中的至 少一些过孔导电之后，在所述器件支承半导体晶片上进行后端处理。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述进行后端处理包 括经由电镀处理形成金属层。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，进一步包括停止执行 后端处理，以进行中间器件测试。