[发明专利]包括嵌入组件和间隔层的微电子衬底及其形成方法有效

专利信息
申请号: 200780045471.2 申请日: 2007-11-19
公开(公告)号: CN101553904A 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: I·萨拉玛;H·西赫 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L21/31 分类号: H01L21/31
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 钱慰民
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 包括 嵌入 组件 间隔 微电子 衬底 及其 形成 方法
【说明书】:

领域

发明的实施例一般涉及微电子制造领域。更具体地,本发明的实施例涉 及包括其中嵌入有源或无源组件的微电子衬底。

背景

将预成型的有源或无源组件嵌入微电子衬底用于例如去耦合、RF调谐或 电压调节应用,这需要这种组件在衬底上的精确定位,以实现这些组件上诸如 通孔之类的电触点至衬底的现有导电互连层的可靠连接。

目前,嵌入的有源和/或无源组件位于衬底的面板尺寸的电介质构造层上, 且构造层随后被固化。然而,遗憾的是,预固化电介质构造层的粘性性质会在 嵌入过程导致显著的移动,因此导致相对于嵌入组件的明显的位置误差。因此, 将组件嵌入微电子衬底的现有技术方法就可靠电连接和/或这种组件在其被嵌 入的衬底上的物理定位而言是不可预测的,由此不利地影响性能和成品率。

附图简述

图1是包括核、导电层和电介质构造层的常规中间衬底的示意性横截面 图;

图2是根据实施例的包括图1的中间衬底且其上还具有间隔层的第一中间 结构的示意图;

图3是包括图2的结构且其上还具有预固化电介质构造层的第二中间结构 的示意图;

图4是在设置嵌入预固化电介质构造层中的组件的过程中包括图3的结构 的第三中间结构的示意图;

图5是在固化预固化电介质构造层之后包括图4的结构的第四中间结构的 示意图;

图6是包括由图5的结构形成的微电子衬底的封装的示意图;

图7是包括类似于图6的衬底的微电子衬底的系统的示意图。

为了简单且清楚地说明,附图中的元件不一定是按比例绘制的。例如,为 了清楚起见,某些元件的尺寸可相对于其它元件被放大。在认为适当的情况下, 在附图中重复附图标记以指示相对应或类似的元件。

详细描述

在以下的详细描述中,披露了微电子衬底、微电子封装、形成衬底的方法、 形成封装的方法以及包括衬底的系统。对其中仅作为说明示出可实施本发明的 特定实施例的附图进行参考。应理解可存在其他实施例且可在不背离本发明的 精神和范围的情况下进行其它结构改变。

本文中所使用的术语“在...上”、“到...上”、“在...上方”、“在...下方”以及 “与...相邻”指的是一个元件相对于另一个元件的位置。如此,设置在第二元件 上、到其上、上方或下方的第一元件可与第二元件直接接触或者它可包括一个 或多个介入元件。此外,设置成与第二元件紧接或相邻的第一元件可与第二元 件直接接触或者它可包括一个或多个介入元件。

下面在本文中将参考图1-7讨论这个和其它实施例的方面。然而,不应该 将附图视为限制性的,因为它们意在用于解释和理解的目的。

首先参考图6,其示出根据实施例的包括其中具有嵌入组件104的微电子 衬底102的封装100,微电子管芯106以公知方式利用焊点101和底层填料101’ 倒装芯片安装到衬底102上。管芯106的其它安装结构在实施例的范围内。如 以下进一步将详细解释的,诸如图6所示的封装100之类的根据实施例的封装 由于存在至少一个间隔层而与类似的现有技术封装不同,该间隔层诸如设置在 衬底的嵌入组件和下层导电层之间的间隔层138和140,诸如在嵌入组件104 和相应的下层导电层114和116之间。与不使用间隔层的现有技术结构相比, 根据实施例的间隔层减少有关嵌入组件的定位的位置误差。

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