[发明专利]包括嵌入组件和间隔层的微电子衬底及其形成方法有效
申请号: | 200780045471.2 | 申请日: | 2007-11-19 |
公开(公告)号: | CN101553904A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
发明(设计)人: | I·萨拉玛;H·西赫 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 嵌入 组件 间隔 微电子 衬底 及其 形成 方法 | ||
领域
本发明的实施例一般涉及微电子制造领域。更具体地,本发明的实施例涉 及包括其中嵌入有源或无源组件的微电子衬底。
背景
将预成型的有源或无源组件嵌入微电子衬底用于例如去耦合、RF调谐或 电压调节应用,这需要这种组件在衬底上的精确定位,以实现这些组件上诸如 通孔之类的电触点至衬底的现有导电互连层的可靠连接。
目前,嵌入的有源和/或无源组件位于衬底的面板尺寸的电介质构造层上, 且构造层随后被固化。然而,遗憾的是,预固化电介质构造层的粘性性质会在 嵌入过程导致显著的移动,因此导致相对于嵌入组件的明显的位置误差。因此, 将组件嵌入微电子衬底的现有技术方法就可靠电连接和/或这种组件在其被嵌 入的衬底上的物理定位而言是不可预测的,由此不利地影响性能和成品率。
附图简述
图1是包括核、导电层和电介质构造层的常规中间衬底的示意性横截面 图;
图2是根据实施例的包括图1的中间衬底且其上还具有间隔层的第一中间 结构的示意图;
图3是包括图2的结构且其上还具有预固化电介质构造层的第二中间结构 的示意图;
图4是在设置嵌入预固化电介质构造层中的组件的过程中包括图3的结构 的第三中间结构的示意图;
图5是在固化预固化电介质构造层之后包括图4的结构的第四中间结构的 示意图;
图6是包括由图5的结构形成的微电子衬底的封装的示意图;
图7是包括类似于图6的衬底的微电子衬底的系统的示意图。
为了简单且清楚地说明,附图中的元件不一定是按比例绘制的。例如,为 了清楚起见,某些元件的尺寸可相对于其它元件被放大。在认为适当的情况下, 在附图中重复附图标记以指示相对应或类似的元件。
详细描述
在以下的详细描述中,披露了微电子衬底、微电子封装、形成衬底的方法、 形成封装的方法以及包括衬底的系统。对其中仅作为说明示出可实施本发明的 特定实施例的附图进行参考。应理解可存在其他实施例且可在不背离本发明的 精神和范围的情况下进行其它结构改变。
本文中所使用的术语“在...上”、“到...上”、“在...上方”、“在...下方”以及 “与...相邻”指的是一个元件相对于另一个元件的位置。如此,设置在第二元件 上、到其上、上方或下方的第一元件可与第二元件直接接触或者它可包括一个 或多个介入元件。此外,设置成与第二元件紧接或相邻的第一元件可与第二元 件直接接触或者它可包括一个或多个介入元件。
下面在本文中将参考图1-7讨论这个和其它实施例的方面。然而,不应该 将附图视为限制性的,因为它们意在用于解释和理解的目的。
首先参考图6,其示出根据实施例的包括其中具有嵌入组件104的微电子 衬底102的封装100,微电子管芯106以公知方式利用焊点101和底层填料101’ 倒装芯片安装到衬底102上。管芯106的其它安装结构在实施例的范围内。如 以下进一步将详细解释的,诸如图6所示的封装100之类的根据实施例的封装 由于存在至少一个间隔层而与类似的现有技术封装不同,该间隔层诸如设置在 衬底的嵌入组件和下层导电层之间的间隔层138和140,诸如在嵌入组件104 和相应的下层导电层114和116之间。与不使用间隔层的现有技术结构相比, 根据实施例的间隔层减少有关嵌入组件的定位的位置误差。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造