[发明专利]包括嵌入组件和间隔层的微电子衬底及其形成方法

权利要求书

1.一种微电子衬底包括：

导电层；

设置在导电电介质层上的间隔层；

设置在所述间隔层上的电介质构造层，所述间隔层由在固化期间其收缩 量低于所述电介质构造层材料且在其预固化形式和固化期间其粘性高于所述 电介质构造层材料的材料制成；以及

嵌入在所述电介质构造层中的有源或无源微电子组件。

2.如权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述间隔层包括预浸层。

3.如权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述间隔层的厚度在所述间隔 层和组合的所述电介质构造层的厚度的约30％至约70％之间。

4.如权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述预浸层包括聚酰胺和环 氧树脂之一以及填料材料。

5.如权利要求1所述的衬底，其特征在于，所述导电层是第二导电层， 且所述电介质构造层是第二电介质构造层，所述衬底还包括核层、设置在所述 核层上的第一导电层以及设置在所述第一导电层上的第一电介质构造层，所述 第二导电层设置在所述第一电介质构造层上。

6.如权利要求5所述的衬底，其特征在于，所述核包括有机材料。

7.如权利要求5所述的衬底，其特征在于，所述电介质构造层包括ABF。

8.一种微电子封装，包括：

微电子衬底，包括：

导电层；

设置在所述导电层上的间隔层；

设置在所述间隔层上的电介质构造层，所述间隔层由在固化 期间其收缩量低于所述电介质构造层材料且在其预固化形 式和固化期间其粘性高于所述电介质构造层材料的材料制 成；以及

嵌入在所述电介质构造层中的有源或无源微电子组件；以及

安装到所述微电子衬底上的微电子管芯。

9.如权利要求8所述的封装，其特征在于，所述间隔层包括预浸层。

10.如权利要求8所述的封装，其特征在于，所述间隔层的厚度在所述间 隔层和组合的所述电介质构造层的厚度的约30％至约70％之间。

11.如权利要求8所述的封装，其特征在于，所述预浸层包括聚酰胺和环 氧树脂之一以及填料材料。

12.如权利要求8所述的封装，其特征在于，所述导电层是第二导电层， 且所述电介质构造层是第二电介质构造层，所述衬底还包括核层、设置在所述 核层上的第一导电层以及设置在所述第一导电层上的第一电介质构造层，所述 第二导电层设置在所述第一电介质构造层上。

13.如权利要求12所述的封装，其特征在于，所述核包括有机材料。

14.如权利要求12所述的封装，其特征在于，所述电介质构造层包括 ABF。

15.一种形成微电子衬底的方法，包括：

设置导电层；

在所述导电层上设置间隔层；

在所述间隔层上设置预固化电介质构造层，所述间隔层由在固化期 间其收缩量低于嵌入电介质构造层材料且在其预固化形式和固化 期间其粘性高于所述预固化电介质构造层材料的材料制成；

将有源或无源组件预固化在所述预固化电介质构造层中；以及 在嵌入之后固化所述预固化电介质构造层以产生嵌入电介质构造 层。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，设置间隔层包括设置预浸 层。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，设置间隔层包括将所述间 隔层层叠到所述导电层。

18.如权利要求15所述的方法，其特征在于，设置间隔层包括设置厚度 在所述间隔层和组合的所述电介质构造层的厚度的约30％至约70％之间的间 隔层。