[发明专利]蚀刻到含氧化硅材料中的方法、形成容器电容器的方法和形成动态随机存取存储器（DRAM）阵列的方法

权利要求书

1.一种蚀刻到含氧化硅材料中的方法，其包含利用包括至少约75体积％的氦的蚀刻环境。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含将所述蚀刻环境配制成包含一种或一种以上碳氟化合物。

3.根据权利要求2所述的方法，其进一步包含将所述蚀刻环境配制成包含一氧化碳。

4.根据权利要求3所述的方法，其进一步包含在包含以下各项的流动速率下提供所述蚀刻环境：

从约6sccm到约100sccm的所述一种或一种以上碳氟化合物；

从约100sccm到约1500sccm的所述氦；以及

从约1sccm到约500sccm的所述一氧化碳。

5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包含将所述蚀刻环境配制成包含从约2sccm到约40sccm的流动速率下的O₂。

6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包含将所述蚀刻环境配制成基本上由所述氦、一种或一种以上碳氟化合物、一氧化碳和O₂组成。

7.根据权利要求2所述的方法，其进一步包含将所述一种或一种以上碳氟化合物选择为包含C₄F₈和C₄F₆。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氧化硅材料包含经掺杂的二氧化硅。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氧化硅材料由经掺杂的二氧化硅组成。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述含氧化硅材料由SiO₂组成。

11.一种在含氧化硅材料中形成开口的方法，其包含：

在蚀刻腔室内提供半导体构造，所述半导体构造包含位于半导体衬底之上的所述含氧化硅材料，且包含位于所述含氧化硅材料之上的经图案化的含碳掩模；所述经图案化的含碳掩模具有延伸穿过其中的多个开口；

使蚀刻流体流入所述腔室中，所述蚀刻流体包含至少约75体积％的氦，且包含至少约5体积％的CO；以及

在蚀刻中利用所述蚀刻流体以使所述开口延伸到所述含氧化硅材料中，以在所述含氧化硅材料中形成具有至少约20∶1的纵横比的容器。

12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包含将所述蚀刻流体配制成包含一种或一种以上碳氟化合物。

13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包含将所述蚀刻流体配制成包含O₂。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述含二氧化硅的材料包含经掺杂的二氧化硅。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述含二氧化硅的材料由经掺杂的二氧化硅组成。

16.一种形成容器电容器的方法，其包含：

提供半导体构造，所述半导体构造包括位于半导体衬底之上的经掺杂的氧化硅，所述经掺杂的氧化硅为至少约1微米厚；

使用包含至少约75体积％的氦的蚀刻流体在所述经掺杂的氧化硅中形成开口，以在所述经掺杂的氧化硅中形成具有至少约20∶1的纵横比的容器；

在所述开口内形成第一电容器电极材料；

在所述开口内在所述第一电容器电极材料上形成电介质材料；以及

在所述开口内在所述电介质材料上形成第二电容器电极材料。

17.根据权利要求16所述的方法，其进一步包含：

在所述经掺杂的氧化硅上形成经图案化的掩模，所述掩模具有延伸穿过其中的间隙，以界定所述开口的位置；且

其中所述形成所述开口包含使所述间隙延伸。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述形成所述经图案化的掩模包含将所述掩模形成为包含碳；且进一步包含在所述蚀刻流体中包括CO。

19.根据权利要求18所述的方法，其进一步包含在包含以下各项的流动速率下提供所述蚀刻流体：

从约6sccm到约100sccm的一种或一种以上碳氟化合物；

从约100sccm到约1500sccm的所述氦；以及

从约1sccm到约500sccm的所述CO。