[发明专利]优化存储控制器高速缓存卸载电路性能和可靠性的系统无效

专利信息
申请号: 200780043925.2 申请日: 2007-10-09
公开(公告)号: CN101542449A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 穆罕默德·埃尔-巴塔勒;查尔斯·尼科尔斯;约翰·舍曼;基思·霍尔特;詹森·斯图尔萨茨 申请(专利权)人: LSI公司
主分类号: G06F12/00 分类号: G06F12/00;G06F1/26;G06F11/30
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余 刚;吴孟秋
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 优化 存储 控制器 高速缓存 卸载 电路 性能 可靠性 系统
【权利要求书】:

1.一种用于对高速缓冲存储器进行卸载的方法,包括以下步骤:

(A)直接通过控制器在所述高速缓冲存储器和主存储器 之间交换多条高速缓存线,其中,所述主存储器和所述高速缓 冲存储器是易失性的;

(B)通过所述控制器而不经过所述高速缓冲存储器在处 理器和所述主存储器之间交换数据;

(C)响应于表示功率损耗的信号的认定,将来自所述高 速缓冲存储器的所有所述高速缓存线缓存到所述控制器中;

(D)根据RAID配置,通过对缓存的所述高速缓存线进 行分割来在所述控制器中产生多个块;以及

(E)将来自所述控制器的所述块直接写入所述RAID配 置中的多个非易失性存储器,其中,每个所述非易失性存储器 均具有(i)小于所述高速缓冲存储器的读取带宽的写入带宽 以及(ii)至所述控制器的用于传送所述块的不同的独立路径。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述块中的至少两个块被 基本上同时地写入所述非易失性存储器。

3.根据权利要求1所述的方法,还包括以下步骤:

通过将所述块分成条来产生多个条,其中,每个所述块 成为多个条。

4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述步骤(E)包括以下 子步骤:

将(i)所述条和(ii)相同等级的所述条的奇偶校验写入 所述非易失性存储器之中。

5.根据权利要求4所述的方法,其中,所述条中的至少两个条被 基本上同时地写入所述非易失性存储器。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,(i)所述信号的所述认定 表示流入功率电路的功率的损耗,以及(ii)所述功率电路被 配置为在所述功率的损耗之后向所述控制器、所述高速缓冲存 储器和所述非易失性存储器提供功率。

7.根据权利要求1所述的方法,其中,(i)每个所述非易失性存 储器均具有第一存储容量,(ii)所述高速缓冲存储器具有第 二存储容量,以及(iii)全部的所述第一存储容量至少与所述 第二存储容量一样大。

8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述非易失性存储器的所 述写入带宽的全部至少与所述高速缓冲存储器的所述读取带 宽一样大。

9.根据权利要求1所述的方法,其中,以最接近所述高速缓冲存 储器的所述读取带宽的第一带宽从所述高速缓冲存储器读取 所述高速缓存线。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,以最接近所述非易失性存 储器的所述写入带宽的第二带宽将所述块写入所述非易失性 存储器。

11.一种系统,包括:

高速缓冲存储器,具有读取带宽并配置为存储多条高速 缓存线,所述高速缓冲存储器是易失性的;

多个非易失性存储器,其中每一个均具有小于所述读取 带宽的写入带宽;

控制器,配置为(i)响应于表示功率损耗的信号的认定 对来自所述高速缓冲存储器的所有所述高速缓存线进行缓存;

(ii)根据RAID配置通过对缓存的所述高速缓存线进行分割 来产生多个块;以及(iii)在所述功率的损耗之后,将所述块 直接写入所述RAID配置中的所述非易失性存储器,其中,每 个所述非易失性存储器均具有至所述控制器的用于传送所述 块的不同的独立路径;主存储器,配置为直接通过所述控制器 与所述高速缓冲存储器交换所述高速缓存线,所述主存储器是 易失性的;以及

处理器,配置为通过所述控制器而不经过所述高速缓冲 存储器与所述主存储器交换第一数据。

12.根据权利要求11所述的系统,其中,所述块中的至少两个块 被基本上同时地写入所述非易失性存储器。

13.根据权利要求11所述的系统,其中所述处理器还被配置为通 过所述控制器与所述高速缓冲存储器交换第二数据。

14.根据权利要求11所述的系统,还包括功率电路,所述功率电 路配置为认定所述信号。

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