[发明专利]含有氢氧化四烃基铵的显像废液的中和方法

说明书

技术领域

[0001]

本发明涉及将氢氧化四烃基铵(以下简称TAAH)作为光刻胶的显像液使用后的，溶解来自光刻胶的有机物(以下简称为“来自光刻胶的有机物”)的含TAAH的显像废液，利用二氧化碳或含有二氧化碳的气体中和用的新的中和方法。详细地说，涉及在中和塔内从塔顶部供应含有TAAH的显像废液，从塔底部供应二氧化碳或含有二氧化碳的气体，使TAAH与二氧化碳或含有二氧化碳的气体逆向流动，相互接触，进行中和反应时，能够使中和塔内部发生的气泡不积存在中和塔内，而能有效地将其去除的上述显像废液的中和方法。

背景技术

[0002]

在半导体、液晶制造工序中，在晶片、玻璃等基板上形成图案时，进行如下所述的工作，即在形成于基板表面上的金属层上涂布负型或正型的光刻胶，然后通过形成该图案用的光掩模使其曝光，对未硬化部分或硬化部分使用显影液进行显像后，进行蚀刻，在上述金属层上形成图案。随着半导体等的高集成化，对在制造工序中使用的药剂等混入杂质，特别是在半导体制造工序中混入金属离子等有严格限制。因此，不包含金属离子的碱性液体TAAH为主成分的显像液在光刻工序中得到广泛应用。特别是近年来，随着半导体、液晶的生产量的增大，显像液的消耗量一直在增加，作为显像液使用后的含TAAH显像废液的排出量也在增加。

[0003]

迄今为止，上述含有TAAH的显像废液利用公知的污水处理方法进行无害化处理然后废弃，但是为了有效利用资源的目的，以往提出了各种回收、精制上述废液再利用的含TAAH显像废液的再生方法，例如，已知有这样的方法被提出(参考专利文献1)，该方法包含将含有TAAH的显像废液浓缩到TAAH浓度10质量％以上，其后利用二氧化碳等进行中和，将其中和到该水溶液的pH值为10以下，使光刻胶析出的中和工序、分离在该中和工序中析出的光刻胶的分离工序、以及对从该分离工序得到的液体进行电解，生成TAAH的电解工序。

[0004]

在上述再生利用方法中，对中和塔提供二氧化碳对TAAH进行中和的情况下，存在中和塔内连续发生气泡，因此如果就这样继续进行TAAH的中和，则气泡占有的区域从塔顶部扩大到塔底部，中和反应的效率降低，同时有难于实施稳定的中和操作的问题。

[0005]

先前，作为防止在蒸馏塔等地方发生气泡的防止手段，通常已知有使用界面活性剂等消泡剂的方法，但是从再生处理过的TAAH溶液使用于半导体制造工序的考虑出发，对加入杂质有严格限制，通过添加消泡剂消泡的技术是不理想的，正在寻找不使用消泡剂的气泡防止手段。

[0006]

又，作为别的气泡防止手段，有在发生气泡的塔顶内部空间形成加热面，使气泡通过该加热面消泡的方法(参照专利文献2)。

[0007]

但是，使气泡通往上述加热面以实现消泡的消泡技术使用于含有TAAH的显像液利用二氧化碳进行中和的情况下，能够在某种程度上防止在塔顶部发生气泡。但是在中和塔中连续进行中和操作的情况下，中和塔内连续发生气泡，因此发生下述情况，也就是与加热面有距离的气泡不与加热面接触而停留下来，气泡的移动受到限制，气泡与加热面的接触受到阻碍。因此气泡以及由消泡生成的溶液一部分在加热面附近滞留，滞留的气泡和溶液被连续进行加热，因此局部产生高温部分，可以确认有TAAH发生分解，产生胺的臭味的问题。

专利文献1：日本特许第3110513号

专利文献2：日本特开平8-24510号

发明内容

发明所要解决的技术问题

[0008]

因此，本发明的目的在于，提供使含TAAH的显像废液与二氧化碳或含有二氧化碳的气体逆流接触进行中和的方法，该方法是能够不伴随TAAH的劣化，有效地防止在中和塔发生的气泡在中和塔内积存的显像废液的中和方法。

解决技术问题的技术手段

[0009]

本发明的发明人为了解决上述存在问题，一再潜心研究。结果发现在中和塔内发生的气泡可以作为气泡流从中和塔取出到塔外，在塔外使其通过加热体以消除气泡，然后使消除气泡的溶液重新返回中和塔继续进行中和，这样能够有效地防止气泡在中和塔内滞留，同时能够使所述气泡流用较短的时间与加热面接触，可靠地进行处理，能够在不导致TAAH分解的情况下循环使用于中和塔，以至于完成本发明。

[0010]