[发明专利]容器等离子处理机用的双重密封装置

说明书

技术领域

本发明涉及容器处理，其在于使容器内壁涂覆一势垒效应材料 层。

背景技术

为此，通常使用一处理机，其包括一电磁波发生器、连接到发生 器并以导体材料(通常为金属)制成的一腔、以及设置在腔内并以能透产 生自发生器的电磁波的材料(通常为石英)制成的一围室。

在容器(一般用热塑性聚合物材料例如聚对苯二甲酸乙二醇酯 PET制成)引入围室中之后，对容器和围室这两者进行降压，以便一方面 在容器中形成等离子建立所需的高真空(数微巴，其中1微巴＝10^-6巴)， 另一方面在容器外部的围室中形成中真空(约30毫巴至100毫巴)，从而 避免容器在压力差的作用下在其壁的各侧收缩。

然后，前驱气体(例如乙炔、C₂H₂)输入到容器中，该前驱气体 通过电磁轰击(一般用低功率的达2.45GHz的超高频微波)被活化，以使 前驱气体进入冷等离子状态，并因而产生含氢化碳(包括CH、CH₂、CH₃) 的组分，氢化碳在容器的内壁上沉积成薄层(薄层的厚度视情况而定通常 为50纳米至200纳米，其中1纳米＝10^-9米)。

在处理过程中，重要的是要避免容器内部和外部之间的任何连 通。否则，占据容器外部的超压将导致空气注入容器中且由等离子产生的 组分氧化，这不利于所沉积的隔离层的质量。

这正是已知处理机为什么配备密封装置的原因，所述密封装置包 括一环形垫圈，当容器被引入处理机内时，容器的开口(也被称作“器口”) 将贴靠于所述垫圈上。作为例子进行说明，可以参考法国专利申请FR 2 872 148(Sidel)或者同族国际申请WO 2006/000539，还或者美国专利文献 US 5 849 366。

所述技术是可完善的。事实上，已经在密封垫圈处观察到存在泄 露。所述泄露是由在垫圈上逐渐沉积由等离子产生的碳化组分所引起的。 随着时间的推移，所述沉积在垫圈表面构成一薄膜，薄膜使所述垫圈的柔 性减小，从而在垫圈和容器口之间的分界面出现缝隙。为了避免产生这类 泄露，目前具有的解决方案是清洗或替换垫圈，这会在修理期间导致处理 机停止。

发明内容

本发明旨在改善容器处理机的密封性。

为此，本发明提出容器的等离子处理机用的密封装置，密封装置 包括至少第一和第二环形的密封表面，所述密封表面适于分别与容器颈部 的不同的第一和第二环形区配合。

所述装置使容器获得双重密封性，能降低对被污染垫圈的去污频 率或替换频率，从而有利于提高生产率。

按照一实施方式，第一密封表面适于与一容器器口配合。第二密 封表面例如适于与容器的一环箍配合。

密封表面可以由至少一密封垫圈承载，且例如由两个不同的密封 垫圈承载。

按照一实施方式，密封装置包括一套筒，所述套筒适于接收容器 颈部且形成各密封垫圈用的框架。所述套筒包括例如一由管状裙部延长的 柱形主体。第一密封垫圈可被套嵌在形成在套筒内的一锪孔内，锪孔位于 主体和裙部之间的连接处，而第二密封垫圈例如安装在裙部上。按照一实 施方式，排气孔使由裙部界定的内部空间与套筒外部相连通。

本发明还提出一容器等离子处理机，其包括如上所述的密封装 置。

附图说明

本发明的其它目的和优点将体现在以下参考附图进行的描述中， 附图中：

-图1是包括一改进密封装置的容器处理机的正视剖面图；

-图2是图1中处理机的一细部的按比例放大的剖面图；

-图3是图2中处理机的一细部的按比例放大的剖面图，示出一 改进的密封装置；

-图4是图3的密封装置按照剖面IV-IV的细节剖面图。

具体实施方式

图1示出通过吹制或拉伸吹制例如PET的塑料材料制的坯件预 先成形的容器2的处理机1。该处理旨在于容器的内壁上等离子沉积含有 氢化碳的屏障层。

处理机1包括以例如钢或(优选地)铝或铝合金等导体材料制成 的腔3。在腔3内设置有以例如石英等能透电磁波的材料制成的围室4。处 理机1还包括一频率为2.45GHz的低功率电磁微波发生器(未示出)，其 通过一波导管5被连接到腔3。