[发明专利]热剥离性粘合片及粘附体回收方法

说明书

技术领域

本发明涉及热剥离性粘合片及使用该粘合片的粘附体回收 方法，更详细地讲，涉及通过加热处理快速且容易地剥离回收 粘附体的方法。还涉及利用该剥离回收方法高效率地剥离回收 半导体零件及电子零件的方法。

背景技术

近年来，随着半导体零件、电子零件的小型化、薄型化， 不仅这些零件的处理变得很难，而且提高生产率也成为很大的 问题。特别是，高效率且无破坏地将临时固定于粘合片上的小 型且易碎的零件剥离回收的方法是很大的问题。对于小型、薄 型化了的零件的处理，利用能自然剥离的热剥离性粘合片是很 有效的。

以往，公知有一种在基板上设置含有热膨胀性微小球等的 发泡剂或膨胀剂的粘合剂层而成的加热剥离型粘合片(参照专 利文献1～6)。该加热剥离型粘合片是使粘接性和使用后的剥 离性并存的粘合片，其特征在于，通过由加热使发泡剂等发泡 或膨胀而降低粘接力，从而能自硅晶圆等粘附体容易地剥离。 特别是使用了热膨胀性微小球的加热剥离型粘合片因加热而使 热膨胀性微小球膨胀，从而粘合层与粘附体的接触面积大大降 低，能无破坏地回收粘附体，因此，可广泛用作半导体或电子 零件的制造工序时的临时固定部件等。但是，在近年来被称作 超薄型芯片的、厚度为40μm以下的、柔软性较高的半导体芯片 或者非常小的零件为粘附体的情况下，存在这样的问题，即， 由于该粘附体易于追随加热剥离型粘合片在加热处理后的表面 凹凸，因此，粘合层与粘附体的接触面积未充分降低，剥离花 费时间或产生无法剥离的情况，生产率显著降低。

专利文献1：日本特公昭51-24534号公报

专利文献2：日本特开昭56-61468号公报

专利文献3：日本特开昭56-61469号公报

专利文献4：日本特开昭60-252681号公报

专利文献5：日本特开2001-131507号公报

专利文献6：日本特开2002-146299号公报

发明内容

因而，本发明的目的在于提供即使是例如厚度为40μm以下 的具有柔软性的粘附体或非常小的粘附体、也能无破坏且高效 率地剥离回收的热剥离性粘合片及粘附体回收方法。

本发明人基于为解决上述问题而深入研究的结果发现，对 于由基体材料、中间层及热剥离性粘合层构成的热剥离性粘合 片来说，在中间层的厚度、热剥离性粘合层的厚度和该热剥离 性粘合层中所含有的热膨胀性微小球的最大粒径之间所存在的 特定关系成立时，即使是具有柔软性那样的粘附体或者非常小 的粘附体，也能高效率地剥离回收，从而完成了本发明。

即，本发明提供一种热剥离性粘合片，该热剥离性粘合片 是在基体材料的一面上依次层叠厚度为A的中间层、含有最大 粒径C的热膨胀性微小球的厚度为B的热剥离性粘合层而成，其 特征在于，满足C≤(A+B)≤60μm及0.25C≤B≤0.8C的关 系，而且加热处理后热剥离性粘合层的粘附力小于0.1N/ 20mm。

上述热剥离性粘合片优选为，加热处理后的热剥离性粘合 层表面的轮廓算术平均偏差粗糙度Ra为5μm以下，最大高低差 Rmax为25μm以下。还优选为，使用玻化温度(Tg)为60℃以 上、且厚度为50μm以下的基体材料。

上述热剥离性粘合片也可以是这样的形态，即，由预先被 切断加工为规定形状的基体材料、中间层及热剥离性粘合层构 成的片以上述热剥离性粘合层接触隔离物表面的状态排列在纵 长的隔离物上，而且缠绕为卷状。

本发明还提供一种粘附体回收方法，其特征在于，从在热 剥离性粘合层上载置有粘附体的上述热剥离性粘合片的基体材 料侧或粘附体侧实施加热，使热剥离性粘合层中的热膨胀性微 小球膨胀之后，剥离回收上述粘附体。

作为上述粘附体，可以使用半导体零件或者电子零件。

另外，本说明书中的粘合片也包括粘合带。

采用本发明，即使是例如厚度为40μm以下的具有柔软性的 极薄型的粘附体、极小型的粘附体，也能高效率且无破坏地剥 离回收粘附体。特别是，也能高效率地剥离回收用以往的针拾 取方式无法回收的易碎的半导体芯片。

附图说明

图1是表示本发明的热剥离性粘合片的一个例子的概略剖 视图。

附图标记说明