[发明专利]低蚀刻性较厚光刻胶清洗液

说明书

技术领域

本发明涉及一种低蚀刻性的适用于清洗较厚光刻胶的清洗液。

背景技术

在通常的半导体制造工艺中，通过在二氧化硅、Cu(铜)等金属以及低k材料等表面上形成光刻胶的掩膜，曝光后利用湿法或干法刻蚀进行图形转移。在晶圆微球植入工艺(bumping technology)中，也需要光阻材料(光刻胶)形成掩膜，该掩膜在微球成功植入后同样需要去除，但由于该光刻胶较厚，完全去除常较为困难。改善去除效果较为常用的方法是采用延长浸泡时间、提高浸泡温度和采用更富有攻击性的溶液，但这常会造成晶片基材的腐蚀和微球的腐蚀，从而导致晶片良率的显著降低。

因此，这一问题亟待解决。专利文献WO2006/056298A1利用由四甲基氢氧化铵(TMAH)、二甲基亚砜(DMSO)，乙二醇(EG)和水组成碱性清洗剂，用于清洗50～100微米厚的光刻胶，同时对金属铜基本无腐蚀。专利文献US2204/0074519A1利用由苄基三甲基氢氧化铵(BTMAH)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、乙二醇(EG)、腐蚀抑制剂、表面活性剂和稳定剂组成碱性清洗剂，用于清洗厚的负性光刻胶。专利文献US6040117利用由TMAH、二甲基亚砜(DMSO)、1，3’-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水等组成碱性清洗剂，将晶片进入该清洗剂中，于50～100℃下除去金属和电介质基材上的20μm以上的厚膜光刻胶。

US5962197利用丙二醇醚、吡咯烷酮、KOH和表面活性剂及微量的水组成碱性清洗剂用于清洗光刻胶。US5529887利用二乙二醇单烷基醚、乙二醇单烷基醚，碱金属氢氧化物和水及水溶性氟化物组成碱性清洗剂用于清洗光刻胶。

发明内容

本发明的目的是公开一种低蚀刻性的适用于清洗较厚光刻胶的清洗液。

本发明的清洗液，其特征是含有氢氧化钾、二甲基亚砜、苯甲醇和乙醇胺。

本发明中，所述的氢氧化钾的含量较佳的是质量百分比0.1-10％，更佳的是质量百分比0.1-3％；所述的二甲基亚砜的含量较佳的是质量百分比20-98.8％，更佳的是质量百分比50-98.4％；所述的苯甲醇的含量较佳的是质量百分比1-50％，更佳的是质量百分比1-30％；所述的乙醇胺的含量较佳的是质量百分比0.1-50％，更佳的是质量百分比0.5-30％。

本发明中，所述的清洗液还可含有金属缓蚀剂。所述的金属缓蚀剂的含量较佳的是质量百分比0-10％，更佳的是质量百分比0-3％。

本发明中，所述的金属缓蚀剂较佳的选自酚类，羧酸、羧酸酯类，2-巯基苯并噻唑类，苯并三氮唑类，酸酐类或膦酸、膦酸酯类缓蚀剂。

其中，所述的酚类较佳的为苯酚、1，2-二羟基苯酚、对羟基苯酚或连苯三酚；所述的羧酸、羧酸酯类较佳的为苯甲酸、对氨基苯甲酸、对氨基苯甲酸甲酯、邻苯二甲酸、邻苯二甲酸甲酯、没食子酸或没食子酸丙酯；所述的酸酐类较佳的为乙酸酐、己酸酐马来酸酐或聚马来酸酐；所述的磷酸、磷酸酯类较佳的为1，3-(羟乙基)-2，4，6-三膦酸。其中，优选的金属缓蚀剂为苯并三氮唑(BTA)和2-巯基苯并噻唑(MBT)。

本发明的清洗液由上面所述组分简单均匀混合即可制得。

本发明的积极进步效果在于：本发明的低蚀刻性较厚光刻胶清洗液含有苯甲醇和乙醇胺。苯甲醇可作为溶剂溶解氢氧化钾，同时对金属铜有较好的保护作用；乙醇胺可在对金属微球和金属微球下面的金属(UBM)表面形成一层保护膜，从而降低基材的腐蚀。本发明的清洗液可以用于除去金属、金属合金或电介质基材上的光刻胶(光阻)和其它残留物，尤其适用于较厚(厚度大于100微米)光刻胶的清洗，同时对于Cu(铜)等金属具有较低的蚀刻速率，在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

具体实施方式

下面通过实施例的方式进一步说明本发明，并不因此将本发明限制在所

述的实施例范围之中。

实施例1～19低蚀刻性较厚光刻胶清洗液

表1给出了低蚀刻性较厚光刻胶清洗液实施例1～19的组成配方，按表

中配方简单均匀混合各组分即可制得清洗液。

表1低蚀刻性较厚光刻胶清洗液实施例1～19

效果实施例1

表2给出了对比清洗液1～2和清洗液1～4的组分和含量。

表2对比清洗液1～2和清洗液1～4的组分和含量