[发明专利]有机硅树脂膜及其制备方法

权利要求书

1.一种制备有机硅树脂膜的方法，该方法包括：

(i)用填充的硅氧烷组合物涂布第一隔离衬垫，其中填充的硅氧烷 组合物包含：

包含每一分子平均具有至少两个与硅键合的链烯基或与硅键合的 氢原子的有机硅树脂的可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物，和

选自氢氧化铝、热解法氧化铝、熔凝硅石、硅灰石、及其混合物的 阻燃剂填料；

(ii)施加第二隔离衬垫到涂布的第一隔离衬垫上，形成组件；

(iii)压缩该组件；和

(iv)固化压缩的组件中的有机硅树脂；其中该有机硅树脂膜的厚度 为1-500微米。

2.权利要求1的方法，其中可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物包 含(A)通式为(R¹R²₂SiO_1/2)_w(R²₂SiO_2/2)_x(R¹SiO_3/2)_y(SiO_4/2)_z(I)的有机硅树 脂，其中R¹是C₁-C₁₀烃基或C₁-C₁₀卤素取代的烃基，二者均不含脂族不 饱和键，R²是R¹或链烯基，w为0-0.8，x为0-0.6，y为0-0.99，z为 0-0.35，w+x+y+z＝1，y+z为0.2-0.99，和w+x为0.01-0.8，条件是该 有机硅树脂每一分子平均具有至少两个与硅键合的链烯基；(B)用量足 以固化所述有机硅树脂的每一分子平均具有至少两个与硅键合的氢原 子的有机基硅化合物；和(C)催化量的氢化硅烷化催化剂。

3.权利要求2的方法，其中有机基硅化合物的通式为 HR¹₂Si-R³-SiR¹₂H，其中R¹是C₁-C₁₀烃基或C₁-C₁₀卤素取代的烃基，二者 均不含脂族不饱和键，和R³是化学式选自下述的不含脂族不饱和键的亚 烃基：

其中g为1-6。

4.权利要求1的方法，其中可氢化硅烷化固化的硅氧烷组合物包 含(A′)通式为(R¹R⁴₂SiO_1/2)_w(R⁴₂SiO_2/2)_x(R⁴SiO_3/2)_y(SiO_4/2)_z(II)的有机硅 树脂，其中R¹是C₁-C₁₀烃基或C₁-C₁₀卤素取代的烃基，二者均不含脂族 不饱和键，R⁴是R¹或-H，w为0-0.8，x为0-0.6，y为0-0.99，z为0-0.35， w+x+y+z＝1，y+z为0.2-0.99，和w+x为0.01-0.8，条件是该有机硅树 脂每一分子平均具有至少两个与硅键合的氢原子；(B′)用量足以固化所 述有机硅树脂的每一分子平均具有至少两个与硅键合的链烯基的有机 基硅化合物；和(C)催化量的氢化硅烷化催化剂。

5.权利要求1的方法，其中有机硅树脂膜的厚度为15-300微米。

6.权利要求1的方法，其中阻燃剂填料是氢氧化铝。

7.通过权利要求1的方法制备的有机硅树脂膜。