[发明专利]层叠陶瓷电容器

说明书

技术领域

本发明涉及层叠陶瓷电容器，特别是涉及通过备有也提供作为电阻元件的功能的外部电极而成为CR复合电子部件的层叠陶瓷电容器。 

背景技术

当在CPU周边在去耦(decoupling)用途中用层叠陶瓷电容器时，存在着因为层叠陶瓷电容器的等效串联电阻(ESR)过低，所以在电路上发生由串联谐振引起的振荡，而使阻抗增大的问题。因此，在面向这些用途的层叠陶瓷电容器中，希望将ESR控制在数10～数1000mΩ内。作为能对应该希望的方案，提出了也将作为电阻元件的功能赋予在层叠陶瓷电容器中备有的外部电极的方案。 

例如，在日本特开平11-54368号专利公报(专利文献1)中，记载了作为虽然在外部电极中在导电材料的主成分中含有Cu和/或Ni，但是外部电极的电阻率在6.9×10^-8Ω·cm以上的CR复合电子部件的层叠陶瓷电容器。 

下面，在日本特开2001-223132号专利公报(专利文献2)中，记载了具有由难氧化性金属构成的第1导电层、在其上形成并且由混合导电性氧化物和绝缘性氧化物的混合物构成的第2导电层、和在其上形成并且由难氧化性金属构成的第3导电层的3层构造而形成外部电极，因此，提高了ESR。 

下面，在国际公开第2006/022258号小册子(专利文献3)中，记载了在备有包含Ni或Ni合金的内部电极的层叠陶瓷电容器中，外部电极备有包含与Ni或Ni合金进行反应的复合氧化物和玻璃成分的导电层。此外，记载了作为上述复合氧化物，优选使用In-Sn复合氧化物。 

但是，在上述专利文献1至3分别记载的技术中，存在着如下的需要解决的课题。 

在专利文献1记载的技术中，因为外部电极将Cu和/或Ni的导电性金属作为主成分，所以Cu和/或Ni进行烧结，成为以金属传导为主，从而要得到足够的电阻(ESR)是困难的。此外，还记载了通过添加异种金属进行合金化，增大电阻值的方法，但是由这种合金化引起的电阻值增大为从10^-6Ω·cm到10^-4～10^-5Ω·cm左右。例如即便在平面尺寸为2.0mm×1.2mm的层叠陶瓷电容器的端面上形成了膜厚100μm的外部电极，外部电极的电阻成分也为10^-6～10^-7Ω·cm左右，要得到足够的电阻是困难的。 

与此相对，在专利文献2记载的技术中，外部电极中的第2导电层，因为，例如将氧化钌、氧化钌化合物或石墨作为主成分，所以能够得到足够的电阻。但是，在专利文献2记载的技术中，因为作为构成外部电极中的第1和第3导电层的难氧化性金属，使用例如从Pd、Ag、Pt、Au、Rh、Ir和Ru选出的至少1种的贵金属，所以存在着用于第1和第3导电层的材料成本高的问题。此外，在专利文献2中记载的技术中，也存在着因为外部电极不仅是3层构造，而且第1至第3导电层分别由通过烧结形成的厚膜构成，所以作为整个外部电极的厚度增大，阻碍部件小型化的问题。 

在上述专利文献1和2分别记载的技术中遇到的问题，能够用在专利文献3中记载的技术来解决。简单地说，如果根据在专利文献3中记载的技术，则能够得到足够的电阻，不需要3层构造，而且不需要用贵金属。 

但是，在专利文献3记载的技术中，关于包含在外部电极中备有的例如In-Sn复合氧化物那样的与Ni或Ni合金进行反应的复合氧化物和玻璃成分的导电层，不能够说其耐候性和与内部电极的接合强度是足够的，对热冲击和挠曲等充分维持良好的接合状态是困难的。此外，在专利文献3中，虽揭示了为了控制外部电极所供给的电阻而添加Ag的方法，但是Ag几乎没有与内部电极中含有的Ni的固熔区域，因此，也存在着伴随着Ag的增加而与内部电极的接合性降低的问题。这种阻碍与这些内部电极良好接合的问题使层叠陶瓷电容器所供给的静电电容降低。 

专利文献1：日本特开平11-54368号专利公报。 

专利文献2：日本特开2001-223132号专利公报。 

专利文献3：国际公开第2006/022258号小册子。 

发明内容

因此，本发明的目的是提供备有能够解决上述那种问题的外部电极的层叠陶瓷电容器。