[发明专利]具有由衬底沟槽中的间隔物形成的浮动栅极的非易失性存储器单元的阵列

权利要求书

1.一种形成在半导体衬底上的非易失性存储器，其包括：

沟槽的矩形阵列，其沿着跨越所述衬底的表面彼此正交的第一和第二方向形成到所述衬底的表面中，单独所述沟槽在所述第一方向上具有包含相对侧壁的横截面形状，所述相对侧壁与所述衬底表面垂直且通过与所述衬底表面平行的底部表面而在其底部处接合，

电荷存储元件，其在所述第一方向上沿着单独沟槽的所述相对侧壁形成为间隔物且其间具有空间，但不在所述第一方向上延伸到所述沟槽外部超出所述相对侧壁，

至少第一导电控制栅极，其在所述第一方向上以将与所述沟槽中的所述电荷存储元件中的至少一者单独地场耦合的方式定位在所述沟槽内处于所述电荷存储元件之间，所述第一导电控制栅极连接到在所述第二方向上延伸的第一导电控制线，以及

源极区和漏极区，其位于所述衬底内至少处于所述单独沟槽的所述底部处。

2.根据权利要求1所述的存储器，其额外包括第二导电控制栅极，所述第二导电控制栅极在所述第一方向上定位在所述衬底的在所述沟槽之间的区域上且与第二导电控制线连接。

3.根据权利要求2所述的存储器，其中所述第二导电控制栅极与所述衬底的在所述沟槽之间的所述区域场耦合以在所述第一方向上在所述沟槽之间形成选择晶体管，且所述第二导电控制线在所述第一方向上延伸。

4.根据权利要求1所述的存储器，其中所述第一导电控制栅极与所述单独沟槽中的所述电荷存储元件中的一者场耦合，但不与另一者场耦合，且所述存储器额外包括第二导电控制栅极，所述第二导电控制栅极在所述第一方向上以将与所述沟槽中的所述另一电荷存储元件单独地场耦合的方式定位在所述沟槽内处于所述电荷存储元件之间，所述第二导电控制栅极连接到在所述第二方向上延伸的第二导电控制线。

5.根据权利要求1所述的存储器，其中所述电荷存储元件包含导电浮动栅极。

6.根据权利要求1所述的存储器，其中所述电荷存储元件被包含在所述沟槽内处于所述衬底表面处或下方。

7.根据权利要求2所述的存储器，其中所述电荷存储元件以将与所述第二导电控制栅极场耦合的方式在所述衬底表面上方延伸出所述沟槽。

8.根据权利要求7所述的存储器，其中所述第二导电控制栅极也与所述衬底的所述区域场耦合以在所述第一方向上在所述沟槽之间形成选择晶体管，且所述第二导电控制线在所述第一方向上延伸。

9.根据权利要求1所述的存储器，其额外包括屏蔽物，所述屏蔽物在所述第二方向上定位在所述衬底内处于邻近沟槽之间且与经定位以与在其上经过的所述第一导电控制线电连接。

10.一种形成在半导体衬底上的非易失性存储器，其包括：

沟槽的矩形阵列，其沿着跨越所述衬底的表面彼此正交的第一和第二方向形成到所述衬底的表面中，单独所述沟槽在所述第一方向上具有通过平面的底部表面在底部处接合的平面的相对侧壁的横截面形状，

两个浮动栅极，其沿着单独沟槽的所述相对侧壁定位在单独沟槽内且其间具有第一电介质层，且不在所述第一方向上延伸到所述沟槽外部超出所述相对侧壁，

控制栅极，其在所述第一方向上定位在单独沟槽内处于所述两个浮动栅极之间且其间具有第二电介质层，

第一组导电线，其具有在所述第二方向上延伸且沿着所述第二方向与所述控制栅极连接的长度，

源极区和漏极区，其位于所述衬底内处于所述单独沟槽的所述底部处，

选择栅极，在所述第一方向上定位在所述衬底的所述表面上处于邻近沟槽之间且其间具有第三电介质层，以及

第二组导电线，其具有在所述第一方向上延伸且沿着所述第一方向与所述选择栅极连接的长度，

借此，所述存储器单元阵列中的单独单元具有在所述第一方向上在所述衬底中在邻近沟槽的源极区与漏极区之间延伸的沟道区，所述沟道区包含与所述邻近沟槽的每一者中的一个浮动栅极相对的若干个区和其间的选择栅极。

11.根据权利要求10所述的非易失性存储器，其中所述浮动栅极由经导电掺杂多晶硅形成为间隔物。

12.根据权利要求10所述的非易失性存储器，其中所述浮动栅极和控制栅极被包含在所述沟槽内，与所述衬底表面同延。