[发明专利]半导体装置,用于该半导体装置的引线框架产品以及用于制造该半导体装置的方法无效

专利信息
申请号: 200780033944.7 申请日: 2007-05-16
公开(公告)号: CN101517738A 公开(公告)日: 2009-08-26
发明(设计)人: 松永清;盐山隆雄;平岛哲之 申请(专利权)人: 株式会社三井高科技
主分类号: H01L23/50 分类号: H01L23/50;H01L23/12
代理公司: 北京泛诚知识产权代理有限公司 代理人: 杨本良;文 琦
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 用于 引线 框架 产品 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

(1)在内部设置的元件安装部分,半导体元件安装在该元件安装部分上;

(2)一组后部内端子,其通过焊线与所述半导体装置的一些或全部相应的电极焊盘连接,并且以区域阵列形状设置以便暴露于底部的相对于底部中心的内侧;

(3)设置在这组后部内端子的外侧的一组后部外端子;

(4)紧接地设置在后部外端子的上面、以便从前表面露出的一组前部外端子,其通过连接导体而分别与紧接地设置在其下面的后部外端子电连接,该连接导体是一片导体板或重叠的两片或更多片导体板;以及

(5)密封树脂,其密封所述半导体元件和焊线,以及所述后部内端子、后部外端子和前部外端子的未露出部分,其中在所述后部内端子的前后表面、所述后部外端子的前后表面、所述前部外端子的前后表面以及所述连接导体的前后表面的每一个上,形成贵金属镀层,

其中,所述后部外端子和导体板之间的连接以及所述导体板和所述前部外端子之间的连接,是在施加载荷的情况下,通过所述贵金属镀层加热到预定温度的扩散连接来进行的。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中一些所述电极焊盘连接于所述后部内端子,而其余的电极焊盘通过其他的焊线连接于所述后部外端子。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中连接到所述其他焊线的所述后部外端子具有焊线连接区域,所述其他焊线与该焊线连接区域连接,该焊线连接区域与所述连接导体与所述后部外端子连接的区域分开。 

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述其他的焊线连接于在与连接到所述连接导体的区域相同的区域中的所述后部外端子。

5.根据权利要求1至4的任何一项所述的半导体装置,其中在所述半导体元件的底部上设置元件安装部分,并且在该元件安装部分的后侧上形成贵金属镀层。

6.一种半导体装置,包括:

(1)在内部设置的半导体元件;

(2)一组后部内端子,其通过焊线与所述半导体装置的一些或全部相应的电极焊盘连接,并且以区域阵列形状设置以便暴露于底部的相对于中心的内侧;

(3)设置在这组后部内端子的外侧的一组后部外端子;

(4)紧接地设置在后部外端子的上面、以便从前表面露出的一组前部外端子,其通过连接导体而分别与紧接地设置在其下面的后部外端子电连接,该连接导体是一片导体板或重叠的两片或更多片导体板;以及

(5)密封树脂,其密封所述半导体元件和焊线,以及所述后部内端子、后部外端子和前部外端子的未露出部分,其中在所述后部内端子的前后表面、所述后部外端子的前后表面、所述前部外端子的前后表面以及所述连接导体的前后表面的每一个上,形成贵金属镀层,

其中在所述半导体元件的底部上不设置元件安装部分,而是露出所述半导体元件的底表面,

其中,所述后部外端子和导体板之间的连接以及所述导体板和所述前部外端子之间的连接,是在施加载荷的情况下,通过所述贵金属镀层加热到预定温度的扩散连接来进行的。

7.一种用于根据权利要求1所述的半导体装置的引线框架产品,包括:

元件安装部分; 

以区域阵列形状设置在所述元件安装部周边上的所述一组后部内端子;

以区域阵列形状设置在这组后部内端子的周边上的所述一组后部外端子;

通过所述连接导体紧接地设置在各后部外端子之上的所述一组前部外端子;以及

一体地与所述元件安装部分、后部内端子以及后部外端子的下侧连接的连接部件,其暴露在后侧上并且通过蚀刻工艺最终被除去,

其中,所述后部外端子和导体板之间的连接以及所述导体板和所述前部外端子之间的连接,是在施加载荷的情况下,通过所述贵金属镀层加热到预定温度的扩散连接来进行的。

8.根据权利要求7所述的引线框架产品,其中除其下部区域之外的元件安装部分被预先蚀刻掉以形成元件安装区域,并且所述元件安装区域的后侧在所述连接部件的蚀刻工艺期间被露出并且除去。

9.根据权利要求7所述的引线框架产品,其中所述连接导体是一片或重叠的两片导体板。

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