[发明专利]制备甲硅烷基遥爪聚合物的方法

权利要求书

1.制备具有甲硅烷基端基的聚合物的方法，其特征在于，借助添加合适的甲硅烷基官能化的硫化合物取代在聚合物链端上的卤素原子。

2.根据权利要求1的制备具有甲硅烷基端基的聚合物的方法，其特征在于，为了将过渡金属化合物从聚合物溶液中分离出来，借助添加硫化合物使所述过渡金属化合物沉淀，并随后借助过滤将所述过渡金属化合物分离出来。

3.根据权利要求1的制备具有甲硅烷基端基的聚合物的方法，其特征在于，为了同时从聚合物中去除卤素原子，通过添加所述硫化合物将多于90％的卤素原子取代。

4.根据权利要求3的制备具有甲硅烷基端基的聚合物的方法，其特征在于，为了同时从聚合物中去除卤素原子，通过添加所述硫化合物将多于95％的卤素原子取代。

5.制备具有甲硅烷基端基的聚合物的方法，其特征在于，权利要求1-3中所述的硫化合物为同样的硫化合物，且所有三个方法步骤同时进行。

6.根据权利要求5的制备具有甲硅烷基端基的聚合物的方法，其特征在于，所述硫化合物为硫醇或其它具有硫醇基的有机化合物。

7.根据权利要求6的制备具有甲硅烷基端基的聚合物的方法，其特征在于，所述硫化合物具有额外的官能团。

8.根据权利要求7的制备具有甲硅烷基端基的聚合物的方法，其特征在于，所述其它的官能团为甲硅烷基端基。

9.根据权利要求8的制备具有甲硅烷基端基的聚合物的方法，其特征在于，所述硫化合物为下式的甲硅烷基官能化的硫醇，

HS-R¹-((SiR²_o(OR³)_p)_y(SiR²_n(OR³)_m)_z)_x

其中：

R¹为具有1至20个碳原子的烷基，

x为1-10的数，

R²和R³分别表示具有1至20个碳原子的烷基，

o和p分别表示0-2的数，其在二价甲硅烷基的情况下总和为2，在三价甲硅烷基的情况下总和为1且在四价甲硅烷基的情况下总和为0，

y为0-20的任意数，

z取决于在R¹和端基之间的三价或四价的即支化的甲硅烷基的数目并至少等于1，

且m和n分别表示0-3的数，其总和为3。

10.根据权利要求8的制备具有甲硅烷基端基的聚合物的方法，其特征在于，所述硫化合物为下式的甲硅烷基官能化的硫醇，

HS-R¹-((SiR²_o(OR³)_p)_y(SiR²_n(OR³)_m))_x

其中：

R¹为具有1至10个碳原子的烷基，

x等于1-3的数，

R²和R³分别表示具有1至10个碳原子的线性烷基，

o和p分别表示0-2的数，其在二价甲硅烷基的情况下总和为2，在三价甲硅烷基的情况下总和为1且在四价甲硅烷基的情况下总和为0，

y等于0-3的数，

且m和n分别表示0-3的数，在此m等于2或3。