[发明专利]电子电路装置以及制造该装置的方法

权利要求书

1.一种用于制造设置有电路图案的基板的方法，其中在基板上形 成包括薄膜层的所需电路图案，所述方法包括：

抗蚀层形成步骤，在所述基板上形成抗蚀层；

开口形成步骤，在所述抗蚀层中形成与所需电路图案对应形状的 开口；

薄膜层形成步骤，在所述开口中的基板上和所述抗蚀层上形成薄 膜层；以及

剥离步骤，从所述基板将所述抗蚀层和形成在该抗蚀层上的薄膜 层剥离，

其中通过所述开口形成步骤在所述抗蚀层中形成的开口具有屋檐 型截面形状，所述屋檐型截面形状在所述抗蚀层与所述基板间的边界 处形成具有高度h和宽度w的空间，其中确定所述高度h和所述宽度 w，使得当在薄膜层形成步骤中形成所述薄膜层时，在所述开口中的基 板上形成的薄膜层的末端没有触碰到所述抗蚀层的下端缘部，

其中在所述抗蚀层内形成的多个开口中，彼此相邻的开口间的间 隔2c与在所述薄膜层形成步骤中在所述基板上形成的薄膜层的厚度T 满足下述关系式：0.06×T≤h≤0.67×2c和h/4＜w≤2c/6，

其中，抗蚀剂端面与屋檐底面间的边界线，和横跨抗蚀层邻近该 边界线的单独的边界线之间的水平距离定义为间隔2c。

2.根据权利要求1所述的用于制造设置有电路图案的基板的方 法，其中所述抗蚀层开口的截面形状还具有倒锥形。

3.根据权利要求1所述的用于制造设置有电路图案的基板的方 法，其中所述开口形成步骤包括进行曝光和显影使得满足关系式 P＜R＜Q的步骤，其中P、Q和R分别表示所述抗蚀层中开口形成位置、 非开口形成位置和作为这些位置边界区域的边界位置的曝光量。

4.根据权利要求3所述的用于制造设置有电路图案的基板的方 法，其中通过使用将射向所述开口形成位置和所述边界位置的曝光光 线屏蔽的掩模和将射向所述开口形成位置的曝光光线屏蔽的掩模，进 行所述曝光，使得满足所述关系式P＜R＜Q。

5.根据权利要求3所述的用于制造设置有电路图案的基板的方 法，其中通过使用将射向所述开口形成位置的曝光光线屏蔽并且使射 向所述边界位置的曝光光线半透射的掩模，进行所述曝光，使得满足 所述关系式P＜R＜Q。

6.根据权利要求3所述的用于制造设置有电路图案的基板的方 法，其中通过使用将射向所述开口形成位置和所述边界位置的曝光光 线屏蔽的掩模、并且改变所述掩模与所述抗蚀层之间的距离，进行所 述曝光，使得满足所述关系式P＜R＜Q。

7.根据权利要求3所述的用于制造设置有电路图案的基板的方 法，其中通过使用将射向所述开口形成位置和所述边界位置的曝光光 线屏蔽的掩模，使该掩模与所述抗蚀层之间的距离恒定，并且通过在 所述掩模的光屏蔽部分外围产生的衍射光和迂回光使所述边界位置曝 光，进行所述曝光，使得满足所述关系式P＜R＜Q。

8.根据权利要求3-7中任一项所述的用于制造设置有电路图案的 基板的方法，其中用含有0.0005～5质量％的一价、二价或三价阳离子 的水洗涤已曝光的抗蚀层。

9.根据权利要求1所述的用于制造设置有电路图案的基板的方 法，其中所述电路图案的薄膜层包括含有选自Cu、Al、Ag和Ni的至 少一种作为主要组分的电极层，或者含有选自SnO₂、ITO和ZnO的至 少一种作为主要组分的电极层。

10.根据权利要求9所述的用于制造设置有电路图案的基板的方 法，其中所述电路图案的薄膜层包括三个以上的层；所述电极层是含 有Cu作为主要组分的层；以及所述薄膜层包括在含有Cu作为主要组 分的电极层的顶面和底面的每一个上含有Cr和/或Ti作为主要组分的 层。

11.根据权利要求1所述的用于制造设置有电路图案的基板的方 法，其包括保护层形成步骤，形成覆盖所述电路图案薄膜层顶面和侧 面的保护层，其中所述保护层包括含有选自SiO₂、TiO₂、ZrO₂、Ta₂O₅、 Cr₂O₃和SnO₂的至少一种作为主要组分的层。