[发明专利]电子装置制造系统的原位光谱分析方法及系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子器件制造方法及系统，特别是一种针对此种系统 内的气体的原位(insitu)光谱分析。

背景技术

电子器件制造方法及系统通常包含使用多种处理气体及产生数种副产 物。为了更了解工艺且更严谨地监控工艺，会针对处理气体进行取样。然 而，此种样品可能仅显示出整体工艺的有限信息。因此，需要一种能够提 供关于处理气体更完整且更详细信息的方法及设备。

发明内容

在本发明的部分实施方面中，提供一种方法，包括：调整样品气体的 压力层级；以及判定经调整的样品气体的组成。

在本发明的另一实施方面中，提供一种用于检测样品气体的设备，包 括：腔室，适于含有待检测的气体；配件(fitting)，耦接至腔室，并适于 将样品气体传送至腔室中；以及控制器，适于调整样品气体在腔室中的压 力层级。

在本发明的又一实施方面中，提供一种用于检测样品气体的系统，包 括：处理工具，具有数个可分离的空间，且该些空间内含有待检测的气体； 腔室，适于含有待检测的样品气体；配件(fitting)，选择性地将腔室耦接 至该些空间；以及控制器，适于调整样品气体在腔室中的压力层级。

本发明的其它特征及实施方面是由随后的示范实施例的详细描述、权 利要求及图式而变得完全明显。

附图说明

图1是绘示根据本发明的部分实施方面的示范实施例的示意框图。

图2是绘示根据本发明的部分实施方面而与图1的示范设备相关联的 示范方法实施例的流程图。

图3是绘示根据本发明的部分实施方面的第二示范实施例的示意框 图。

图4A及4B两者是绘示根据本发明的部分实施方面而与图3的示范设 备相关联的示范方法实施例的流程图。

图5是绘示根据本发明的部分实施方面的第三示范实施例的示意框 图。

图6A及6B两者是绘示根据本发明的部分实施方面而与图5的示范设 备相关联的示范方法实施例的流程图。

具体实施方式

本发明提供针对电子器件制造系统及方法中所使用及所产生的气体进 行分析(例如红外线【IR】光谱)的系统及方法。本发明的方法及系统可 协助从电子器件制造系统内数个位置取样的气体样品的分析。再者，本发 明提供将一个或多个气体成分量测装置整合至电子器件制造系统的方法。 举例来说，根据本发明的部分实施例，IR分光光度计通过低压力歧管而耦 接至电子器件制造系统的数个腔室及加载锁定室，而该些歧管操作而分别 将各种气体样品流导向IR分光光度计的样品槽(sample cell)。由于IR 分光光度计仅在较高压力下(例如＞100托)具精确性，而处理气体在取 样位置是处于较低压力下(例如＜100托)，故本发明进一步提供使样品 气体以受控方式加压至适当范围内的方法及设备，藉此，取样气体的组成 部分的成分及浓度可被精确地量测。

本发明可针对数个不同目的而使用。在电子器件(例如半导体器件) 的制造过程中，执行各种工艺，该些工艺可能会对工艺进行或制品通过的 空间(例如：处理室、传输室、加载锁定室、工厂接口、无尘室等)造成 污染。举例来说，沉积种类、沉积副产物、蚀刻剂、处理气体等皆可能会 污染上述空间。因此，在部分实施例中，本发明可用于判定此空间内的污 染程度。再者，若工艺并未如预期般发生，本发明可用于协助判定此工艺 过程中真实发生的过程，因此可改正或改善所述工艺。另外，许多废弃物 减量(abatement)处理(例如处理或中和毒性副产物的方法)可通过对 废弃气体的成分的更精确信息而改善或最佳化。因此，本发明可用于判定 废弃气体的成分以改善减量处理。本发明可具有除上述实例外的许多其它 应用例。