[发明专利]形成含碳外延硅层的方法

权利要求书

1.一种在基材上形成外延层堆栈的方法，其至少包含：

选择该外延层堆栈的一标的碳浓度；

在该基材上形成一含碳硅层，并依据所选择的该标的碳浓度，选择该 含碳硅层所具有的一初始碳浓度、一厚度以及一沉积时间的至少一者；以 及

在蚀刻前，在该含碳硅层上形成一非含碳硅层。

2.如权利要求1所述的方法，其中该标的碳浓度是介于约200ppm 与5at％之间。

3.如权利要求1所述的方法，其中该初始碳浓度是介于约0.5at％至 10at％之间。

4.如权利要求1所述的方法，更包含于该含碳硅层与该基材之间，形 成一非含碳外延层。

5.如权利要求1所述的方法，其中该外延层堆栈具有一厚度介于约 至之间。

6.如权利要求1所述的方法，其中该初始碳浓度是大于或等于该标的 碳浓度。

7.如权利要求1所述的方法，更包含在该含碳硅层上形成该非含碳硅 层后，蚀刻该外延层堆栈。

8.如权利要求7所述的方法，其中蚀刻该外延层堆栈包含以含有氯气 的一蚀刻气体蚀刻该外延层堆栈。

9.如权利要求7所述的方法，其中该非含碳硅层具有一厚度，以避免 该蚀刻气体与该含碳硅层之间发生一反应。

10.如权利要求1所述的方法，其中形成该含碳硅层与该非含碳硅层 中的至少一者，是在低于或约700℃的温度下进行。

11.一种形成外延层堆栈的方法，其至少包含：

选择该外延层堆栈的一标的碳浓度；以及

以交替沉积含碳硅层与非含碳硅层，形成该外延层堆栈；

其中依据该含碳硅层的一总厚度、一初始碳浓度以及一沉积时间中的 至少一者，达到该标的碳浓度。

12.如权利要求11所述的方法，其中该标的碳浓度介于约200ppm 与5at％之间。

13.如权利要求11所述的方法，其中每一含碳硅层的该初始碳浓度 是介于约0.5at％至10at％之间。

14.如权利要求11所述的方法，更包含于一第一含碳硅层与该基材 之间，形成一非含碳外延层。

15.如权利要求11所述的方法，其中该外延层堆栈的厚度介于约至之间。

16.一种用以控制形成于一基材上的一外延层堆栈中的碳浓度的方法， 其至少包含：

决定该外延层堆栈的一所需碳浓度；以及

形成该外延层堆栈，通过：

在该基材上形成一含碳外延层；以及

于该含碳外延层上形成一非含碳覆盖层；

其中依据该外延层堆栈的该所需的碳浓度，选择该含碳外延层的一厚 度。

17.如权利要求16所述的方法，更包含于该含碳外延层与该基材之 间，形成一种外延层。

18.如权利要求16所述的方法，其中该标的碳浓度介于约200ppm 与5at％之间。

19.如权利要求16所述的方法，其中该含碳外延层的厚度介于约至之间。

20.如权利要求16所述的方法，更包含以氯气蚀刻该外延层堆栈。

21.如权利要求16所述的方法，更包含形成该外延层堆栈的额外的 交替含碳层与非含碳层。