[发明专利]具有分离间隙阀门密封隔间的负载锁定室有效
申请号: | 200780027858.5 | 申请日: | 2007-08-03 |
公开(公告)号: | CN101496158A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 李在珠;栗田真一;苏希尔·安瓦尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 分离 间隙 阀门 密封 隔间 负载 锁定 | ||
发明背景
发明领域
本发明的具体实施例一般关于用于一真空处理系统的一负载锁定室,且更具体地说,关于具有一分离间隙阀门密封隔间的一负载锁定室。
相关技术描述
薄膜晶体管及光伏特装置为二种快速发展的科技领域。由平板技术构成的薄膜晶体管(TFT)可广泛运用于有源矩阵显示器例如计算机及电视屏幕、移动电话显示器、个人数字助理(PDA)、及日渐增加的其它装置。一般而言,平板至少包含二玻璃板,二者间夹有一层液晶材料。玻璃板的至少一者包括设置于其上的一导电薄膜其耦合至一电源。由电源供应至导电薄膜的电力可改变晶体材料的方位,而产生一样式显示。
光伏特装置(photovoltaic device,PV)或太阳能电池装置可将阳光转换成直流(DC)电力。PV或太阳能电池通常在一面板上形成一或更多个p-n连接点。每一连接点至少包含一半导体材料中的二不同区域,在其中将一侧称为p型区域且另一侧称为n型区域。当PV电池的p-n连接点暴露于阳光(由来自光子的能量所组成)下时,可透过PV效应将阳光直接转换成电力。一般而言,须要一种高质量的以硅为基础的材料以产生高效率的连接点装置(即,每单位面积较高的电力输出)。在PV太阳能电池中,已广泛运用非晶硅(a-Si)薄膜作为以硅为基础的面板材料,这是由于其在传统低温等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)工艺中的制造成本低廉。
由于市场对平板技术的接受度高,加上对于以更有效率的PV装置来抵销螺旋能量成本的需要导致对大型面板的需求、提升生产速率及降低制造成本等因素,使得仪器制造商必须开发新系统以容纳用于平板显示器及PV装置制造业者的大型基板。目前基板处理设备通常可用以容纳略大于约2平方公尺的基板。可预见,在不久的将来会出现用以容纳较大基板大小的处理设备。
用以制造此种大型基板的仪器意味着制造业者必须付出大量的投资成本。传统系统须要大型且昂贵的硬件。由于在负载锁定室操作期间所经历的大幅压力差,负载锁定室的壁必须非常厚,以便将挠曲降到最小。室挠曲促成或造成大量工艺问题,其中某些问题包括温度控制特征间的间隔不一致以及造成热输送不一致的基板、处理室中支撑的基板的移动造成机械交递问题、减损密封寿年、以及产生粒子。然而,将壁的厚度增加到可解决上述问题的程度可能造成无法接受的室体重量及成本,且同样地,非常需要其它解决方案以限制和/或隔绝室挠曲。
因此,需要一种负载锁定室以便有效率地输送大面积基板。
发明概要
本发明的具体实施例包括一负载锁定室,该负载锁定室具有一分离间隙阀门密封隔间。在一具体实施例中,一负载锁定室包括一主要组合件、一第一间隙阀门密封隔间及一密封组合件。主要组合件之中形成一基板输送腔。贯穿主要组合件形成二基板进接端口,并将该二基板进接端口流体耦合至腔。第一间隙阀门密封隔间具有一孔,该孔排列邻近于该些进接端口之一者并与之成一直线。第一间隙阀门密封隔间和主要组合件分离。密封组合件将第一间隙阀门密封隔间耦合至主要组合件。
在另一具体实施例中,一负载锁定室包括一主要组合件、一第一间隙阀门密封隔间、一间隙阀门及一环状弹性密封。主要组合件具有一基板输送腔。贯穿主要组合件形成二基板进接端口,并将该二基板进接端口流体耦合至腔。第一间隙阀门密封隔间具有一基板输送通道。基板输送通道具有一相邻端口,其和主要组合件的进接端口之一者排列成直线。第一间隙阀门密封隔间和主要组合件分离。间隙阀门接合第一间隙阀门密封隔间的一密封面,以选择性地密封基板输送通道。环状弹性密封在第一间隙阀门密封隔间以及主要组合件间形成一密封。
在又另一具体实施例中,一负载锁定室包括一主要组合件、一第一间隙阀门密封隔间、一间隙阀门及一环状弹性密封。主要组合件具有一基板输送腔及二基板进接端口。二基板进接端口贯穿主要组合件流体耦合至腔。第一间隙阀门密封隔间具有一基板输送通道,其中设置了间隙阀门。可操作间隙阀门以选择性地接合第一间隙阀门密封隔间的一密封面,以选择性地密封基板输送通道。环状弹性密封在第一间隙阀门密封隔间以及主要组合件间形成一密封。
附图简要说明
为了达到本发明的特征并完整理解本发明,参照图式中阐明的具体实施例更加详细描述上概要简述的本发明。然而,应指出,附随图式仅阐明本发明的典型具体实施例,且不应将其视为对本发明范围的限制,本发明亦承认其它同样有效的具体实施例。
图1为一平面图,阐明一说明性集束型设备其具有本发明的一负载锁定室的一具体实施例;
图2为一剖面图,沿着图1的剖面线段2--2阐明负载锁定室;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造