[发明专利]用于介电膜的提高速率的化学机械抛光组合物

权利要求书

1.一种化学机械抛光组合物，其基本上由以下物质组成：

(a)二氧化硅，其具有10nm至40nm的平均初级粒径；

(b)氧化剂，其选自过氧化氢、脲过氧化氢、过碳酸盐、过氧化苯甲酰、过乙酸、过氧化钠、二叔丁基过氧化物、单过硫酸盐、二过硫酸盐、硝酸盐、铁(III)化合物、及其组合；

(c)季铵化合物，其包含具有结构R₁R₂R₃R₄N⁺的阳离子，其中R₁、R₂、R₃及R₄独立地选自C₂-C₆烷基及C₇-C₁₂芳烷基；及

(d)水，

其中该抛光组合物具有1至5的pH值。

2.权利要求1的抛光组合物，其中该二氧化硅为缩聚二氧化硅。

3.权利要求2的抛光组合物，其中该二氧化硅以0.1重量％至10重量％的量存在。

4.权利要求3的抛光组合物，其中该二氧化硅以0.5重量％至8重量％的量存在。

5.权利要求1的抛光组合物，其中该氧化剂为过氧化氢与铁(III)化合物的组合。

6.权利要求5的抛光组合物，其中该铁(III)化合物为硝酸铁。

7.权利要求6的抛光组合物，其中该过氧化氢以1重量％至10重量％的量存在，且该硝酸铁以0.1ppm至100ppm的量存在。

8.权利要求1的抛光组合物，其中该季铵化合物以100ppm至5000ppm的量存在。

9.权利要求8的抛光组合物，其中该季铵化合物包含选自四乙基铵、四丙基铵、四丁基铵、及四戊基铵的阳离子。

10.一种化学机械抛光基板的方法，该方法包括：

(i)使基板与抛光垫及化学机械抛光组合物相接触，该化学机械抛光组合物基本上由以下物质组成：

(a)二氧化硅，其具有10nm至40nm的平均初级粒径；

(b)氧化剂，其选自过氧化氢、脲过氧化氢、过碳酸盐、过氧化苯甲酰、过乙酸、过氧化钠、二叔丁基过氧化物、单过硫酸盐、二过硫酸盐、硝酸盐、铁(III)化合物、及其组合；

(c)季铵化合物，其包含具有结构R₁R₂R₃R₄N⁺的阳离子，其中R₁、R₂、R₃及R₄独立地选自C₂-C₆烷基及C₇-C₁₂芳烷基；及

(d)水，

其中该抛光组合物具有1至5的pH值，

(ii)相对于该基板移动该抛光垫，其间具有该化学机械抛光组合物，及

(iii)磨除该基板的至少一部分以抛光该基板。

11.权利要求10的方法，其中该二氧化硅为缩聚二氧化硅。

12.权利要求11的方法，其中该二氧化硅以0.1重量％至10重量％的量存在。

13.权利要求12的方法，其中该二氧化硅以0.5重量％至8重量％的量存在。

14.权利要求10的方法，其中该氧化剂为过氧化氢与铁(III)化合物的组合。

15.权利要求14的方法，其中该铁(III)化合物为硝酸铁。

16.权利要求15的方法，其中该过氧化氢以0.1重量％至10重量％的量存在，且该硝酸铁以1ppm至100ppm的量存在。

17.权利要求10的方法，其中该季铵化合物以100ppm至5000ppm的量存在。

18.权利要求17的方法，其中该季铵化合物包含选自四乙基铵、四丙基铵、四丁基铵、及四戊基铵的阳离子。

19.权利要求10的方法，其中该基板包含氧化硅。

20.权利要求19的方法，其中该基板进一步包含选自钨、铜、钽、氮化钽、铝、钛、氮化钛、及其组合的金属。