[发明专利]双侧冷却集成晶体管模块及制造方法

说明书

本申请案主张2006年5月19日申请的第60/802,181号美国临时专利申请案(所述申请案以引用的方式并入本文中)的权益，并且还主张2007年5月9日申请的第60/916,994号美国临时专利申请案(所述申请案以引用的方式并入本文中)的权益。还参考代理人案号为3021711(17732.62860.00)的题为“倒装芯片MLP折叠散热器(FlipChip MLP Folded Heat Sink)”的相关申请案。 

技术领域

本发明大体涉及半导体装置，且更明确地说涉及一种适合用作其它装置(例如，同步降压式转换器)的建置区块的双侧冷却集成晶体管模块及其制造方法。 

背景技术

同步降压式转换器用作手机、便携式计算机、数码相机、路由器和其它便携式电子装置的电源。同步降压式转换器使DC电压电平移位以便向可编程栅极阵列集成电路、微处理器、数字信号处理集成电路和其它电路提供功率，同时使电池输出稳定、过滤噪声并减少纹波。这些装置还用于在广范围的数据通信、电信、负载点和计算应用中提供高电流多相功率。 

图1展示典型同步降压式转换器的框图。所述转换器具有由PWM IC上的控制器控制的高侧FET Q1和低侧FET Q2。Q1和Q2装置可配置为离散装置，其需要最佳布局以减小由PCB衬底上高侧FET漏极连接到低侧FET源极引起的寄生电感。发明者Joshi等人2005年12月29日公开的第2005/0285238 A1号美国专利申请公开案揭示一种包含界定低侧区和高侧区的引线框的集成晶体管模块。低侧晶体管安装在低侧区，其漏极电连接到低侧区。高侧晶体管安装在高侧区，其源极电连接到高侧区。引线框的阶梯部分电连接低侧区和高侧区，且因此还电连接低侧晶体管的漏极与高侧晶体管的源极。 

尽管后一公开的专利申请案的集成晶体管模块可用于其期望的应用，但其某些特征可进行改进。引出脚方面的封装对准在所揭示的设计中很关键，因为两个不同的封装附接到引线框连接器。因为两个不同的封装需要针对所述两个封装以不同的组装工艺进行组装，所以需要更大成本的花费。此外，多个回焊工艺(热偏移)可能影响无引线封装焊接接缝可靠性。其它缺点包含不适当的封装厚度、模块占用面积的商业可接受性，和因为晶体管的一者以倒装芯片方式安装在引线框上而另一者并非如此所以不能连接封 装上的共同漏极。 

因此，需要一种可用于例如降压式转换器电路等电路中并提供对这些问题的解决方案的改进的集成晶体管模块。 

发明内容

根据本发明，提供一种对这些问题的解决方案。 

根据本发明的一特征，提供一种集成晶体管模块，其包括： 

引线框，其具有第一和第二间隔垫以及位于所述第一与第二垫之间的一个或一个以上共同源极-漏极引线； 

第一和第二晶体管，其分别以倒装芯片方式附接到所述第一和第二垫，其中所述第二晶体管的源极电连接到所述一个或一个以上共同源极-漏极引线；以及 

第一夹片，其附接到所述第一晶体管的漏极且电连接到所述一个或一个以上共同源极-漏极引线。 

根据本发明的另一特征，提供一种集成晶体管模块，其包括： 

引线框，其具有第一和第二间隔垫、位于所述第一与第二垫之间的一个或一个以上共同源极-漏极引线，以及位于所述第二垫的外侧上的一个或一个以上漏极引线； 

第一和第二晶体管，其分别以倒装芯片方式附接到所述第一和第二垫，其中所述第二晶体管的源极电连接到所述一个或一个以上共同源极-漏极引线； 

第一夹片，其附接到所述第一晶体管的漏极且电连接到所述一个或一个以上共同源极-漏极引线； 

第二夹片，其附接到所述第二晶体管的漏极且电连接到位于所述第二垫的所述外侧上的所述一个或一个以上漏极引线；以及 

模制材料，其囊封所述引线框、所述晶体管和所述夹片以形成所述模块。 

根据本发明的又一特征，提供一种制造集成晶体管模块的方法，其包括： 

提供引线框，其具有第一和第二间隔垫、位于所述垫之间的一个或一个以上共同源极-漏极引线，以及位于所述第二垫的外侧上的一个或一个以上漏极引线； 

将第一和第二晶体管分别以倒装芯片方式附接到所述第一和第二垫，其中所述第二晶体管的源极电连接到所述一个或一个以上共同源极-漏极引线； 

将第一夹片附接到所述第一晶体管的漏极且将所述第一夹片电连接到所述一个或一个以上共同源极-漏极引线；