[发明专利]双侧冷却集成晶体管模块及制造方法

权利要求书

1.一种集成晶体管模块，其包括：

引线框，其具有第一和第二间隔垫以及位于所述第一与第二间隔垫之间的一个或一个以上共同源极-漏极引线；

第一和第二晶体管，其分别以倒装芯片方式附接到所述第一和第二间隔垫，其中所述第二晶体管的源极电连接到所述一个或一个以上共同源极-漏极引线；以及

第一夹片，其附接到所述第一晶体管的漏极且电连接到所述一个或一个以上共同源极-漏极引线。

2.根据权利要求1所述的模块，其中所述第一和第二晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

3.根据权利要求1所述的模块，其中所述第一和第二晶体管分别是作为降压式转换器的组件的高侧和低侧功率晶体管。

4.根据权利要求1所述的模块，其中所述引线框包含位于所述第二间隔垫的外侧上的一个或一个以上漏极引线，且所述模块包含第二夹片，所述第二夹片附接到所述第二晶体管的漏极且电连接到位于所述第二间隔垫的所述外侧上的所述一个或一个以上漏极引线。

5.根据权利要求1所述的模块，其中所述引线框、所述晶体管和所述夹片囊封在模制材料中，所述引线框的所述垫和所述夹片经暴露以提供对所述模块的双冷却。

6.一种集成晶体管模块，其包括：

引线框，其具有第一和第二间隔垫、位于所述第一与第二间隔垫之间的一个或一个以上共同源极-漏极引线，以及位于所述第二间隔垫的外侧上的一个或一个以上漏极引线；

第一和第二晶体管，其分别以倒装芯片方式附接到所述第一和第二间隔垫，其中所述第二晶体管的源极电连接到所述一个或一个以上共同源极-漏极引线；

第一夹片，其附接到所述第一晶体管的漏极且电连接到所述一个或一个以上共同源极-漏极引线；

第二夹片，其附接到所述第二晶体管的漏极且电连接到位于所述第二间隔垫的所述外侧上的所述一个或一个以上漏极引线；以及

模制材料，其囊封所述引线框、所述晶体管和所述夹片以形成所述模块。

7.根据权利要求6所述的模块，其中使所述引线框的所述垫和所述夹片暴露且无所述模制材料以提供对所述模块的双冷却。

8.根据权利要求6所述的模块，其中所述第一和第二晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

9.根据权利要求6所述的模块，其中所述第一和第二晶体管分别是作为降压式转换器的组件的高侧和低侧功率晶体管。

10.根据权利要求6所述的模块，其中所述一个或一个以上共同源极-漏极引线经配置以被切割使得可形成两个个别单一晶体管封装。

11.根据权利要求6所述的模块，其中所述引线框具有处于所述第一与第二间隔垫之间的栅极引线，且其中所述第一夹片不电附接到所述栅极引线。

12.根据权利要求6所述的模块，其中所述第一夹片具有一平坦部件和若干电连接到所述引线框的所述共同源极-漏极引线的向下延伸引线；且其中所述第二夹片具有一平坦部件和若干电连接到位于所述第二间隔垫的所述外侧上的所述引线框的所述一个或一个以上漏极引线的向下延伸引线。

13.根据权利要求12所述的模块，其中所述引线框具有处于所述第一与第二间隔垫之间的栅极引线，且其中所述第一夹片不具有将电连接到所述栅极引线的向下延伸引线。

14.根据权利要求6所述的模块，其中所述引线框经配置以具有有引线占用面积，所述有引线占用面积可通过切割所述模块的引线部分而转换为无引线模块。

15.根据权利要求6所述的模块，其中所述共同源极-漏极引线经部分切断以断开所述连接，且其中共同散热器附接到所述第一和第二夹片并连接所述第一和第二夹片。

16.根据权利要求6所述的模块，其包含附接到所述引线框并电连接到所述第一和第二晶体管的集成电路，所述集成电路由所述模制材料囊封以形成单一模块。