[发明专利]功率IC器件及其制造方法有效

申请号：	200780020846.X	申请日：	2007-05-31
公开（公告）号：	CN101461062A	公开（公告）日：	2009-06-17
发明（设计）人：	A·O·阿丹;菊田光洋;寺本章伸;大见忠弘;矢部弘男;渡边高训	申请（专利权）人：	夏普株式会社;国立大学法人东北大学;矢崎总业株式会社
主分类号：	H01L27/088	分类号：	H01L27/088;H01L21/8238;H01L21/336;H01L27/092;H01L21/8234;H01L29/78
代理公司：	上海专利商标事务所有限公司	代理人：	张鑫
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	功率 ic 器件及其制造方法
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【权利要求书】：

1.一种功率IC器件，其中，表层沟道MOS晶体管和P沟道型沟槽功率MOS 晶体管形成于同一个芯片，该功率IC器件的特征在于，

上述芯片表面的面方位为偏离硅(110)结晶面-8°以上+8°以下的面方位；

上述P沟道型沟槽功率MOS晶体管具有：沟槽，通过在上述芯片的表面进行垂直穿孔形成，使得该沟槽的横壁的至少一个面的面方位为偏离硅(110) 结晶面-8°以上+8°以下的面方位；栅区，形成于上述沟槽内；沟槽功率MOS 晶体管反型沟区，形成于上述沟槽的横壁部分；源区，形成于上述沟槽功率MOS 晶体管反型沟区之上层的芯片表面层，并借助于栅极绝缘膜实现与上述栅区之间的绝缘；以及漏区，形成于上述沟槽功率MOS晶体管反型沟区之下层的芯片背面层，

电流从上述源区经上述沟槽功率MOS晶体管反型沟区沿着偏离硅<110>结晶方向-8°以上+8°以下的方向流入上述漏区；

上述表层沟道MOS晶体管为P型表层沟道MOS晶体管；

形成有表层沟道MOS晶体管反型沟区，其中，反型沟道电流沿着与上述芯片的表面平行的方向流经上述芯片的表面部分，该方向偏离硅<110>结晶方向-8 °以上+8°以下。

2.根据权利要求1所述的功率IC器件，其特征在于：

上述P型表层沟道MOS晶体管通过形成一对N型表层沟道MOS晶体管来构成表层沟道CMOS晶体管。

3.一种功率IC器件，其中，表层沟道MOS晶体管和P沟道型沟槽功率MOS 晶体管形成于同一个芯片，该功率IC器件的特征在于，

上述芯片表面的面方位为偏离硅(110)结晶面-8°以上+8°以下的面方位；

电流从上述源区经上述沟槽功率MOS晶体管反型沟区沿着偏离硅<110>结晶方向-8°以上+8°以下的方向流入上述漏区；

上述表层沟道MOS晶体管为N型表层沟道MOS晶体管；

形成有表层沟道MOS晶体管反型沟区，其中，反型沟道电流沿着与上述芯片的表面平行的方向流经上述芯片的表面部分，该方向偏离硅<100>结晶方向-8 °以上+8°以下。

4.根据权利要求3所述的功率IC器件，其特征在于：

上述N型表层沟道MOS晶体管通过形成一对P型表层沟道MOS晶体管来构成表层沟道CMOS晶体管。