[发明专利]单过硫酸氢钾溶液

权利要求书

1.一种组合物，其包含具有3.4重量％-6.8重量％活性氧含量和5.5％的最大SO₄含量的单过硫酸氢钾溶液，且其中所述单过硫酸氢钾指混合的三聚盐2KHSO₅·KHSO₄·K₂SO₄。

2.权利要求1的组合物，其具有5.0％的最大SO₄含量。

3.权利要求2的组合物，其具有0.4-1.5的pH。

4.权利要求1的组合物，其进一步包含辅助剂，该辅助剂选自除了盐酸之外的无机酸、C₁-C₄有机酸、表面活性剂、稳定剂和蚀刻速率改性剂。

5.一种制备具有3.4重量％-6.8重量％活性氧含量和5.5％的最大SO₄含量的单过硫酸氢钾溶液的方法，且其中所述单过硫酸氢钾指混合的三聚盐2KHSO₅·KHSO₄·K₂SO₄，该方法包括：

a)混合下面的成分来形成平衡的浆料：

i)固体2KHSO₅·KHSO₄·K₂SO₄，

ii)水，其量不足以完全溶解该固体，和

iii)碱性材料；和

b)分离未溶解的固体来获得溶液，和

c)加入酸来获得0.4-1.5的pH。

6.权利要求5的方法，其中碱性材料是在固体2KHSO₅·KHSO₄·K₂SO₄与水混合之后加入的，并且其选自氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钡、氢氧化镁、碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠或者碳酸氢钾。

7.权利要求6的方法，其中每100g的2KHSO₅·KHSO₄·K₂SO₄使用25g-70g的水，并且其中在碱性材料添加过程中将温度保持在40℃或者以下。

8.一种改进的微蚀刻表面的方法，其中所述的改进包括将待蚀刻的表面与微蚀刻溶液相接触，该微蚀刻溶液包含具有3.4重量％-6.8重量％活性氧含量和5.5％的最大SO₄含量的单过硫酸氢钾溶液，且其中所述单过硫酸氢钾指混合的三聚盐2KHSO₅·KHSO₄·K₂SO₄。

9.权利要求8的方法，其中待蚀刻的表面是金属涂覆的半导体或者用铜或者铜合金包覆的印刷线路板。

10.权利要求8的方法，其中所述溶液具有每升溶液至少25g铜的 铜负荷容量，和3.5重量％-6.8重量％的活性氧含量。

11.一种改进的机械抛光基底的方法，其中所述的改进包括使用一种抛光浆料，该抛光浆料包含具有3.4重量％-6.8重量％活性氧含量和5.5％的最大SO₄含量的单过硫酸氢钾溶液，且其中所述单过硫酸氢钾指混合的三聚盐2KHSO₅·KHSO₄·K₂SO₄。

12.一种改进的处理娱乐和观赏的水的方法，其中所述的改进包括使用具有3.4％-6.8％活性氧含量和5.5％的最大SO₄含量的单过硫酸氢钾溶液，且其中所述单过硫酸氢钾指混合的三聚盐2KHSO₅·KHSO₄·K₂SO₄。