[发明专利]声界面波装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种用作例如谐振器或滤波器的声界面波装置，更详细地说，涉及具有在第1、第2介质间配置电极、在第2介质上再层叠第3介质及第4介质的结构的声界面波装置。 

背景技术

近年来，作为谐振器或带通滤波器，为了可谋求封装结构的简化，关注声界面波装置。 

在下述的专利文献1中，公开机电耦合系数大、传输损失及能流角(power flow angle)小、频率温度系数TCF在适度范围内的声界面波装置。这里，在由压电基板构成的第1介质和由SiO₂膜构成的第2介质的界面上形成IDT电极。而且，记载通过调整用作压电基板的压电单晶体的取向、构成IDT电极的材料、膜厚及电极指节距(finger pitch)，可调整机电耦合系数或温度特性的内容。 

另外，在下述的专利文献2中，公开图12中示意性表示的声界面波装置101。在声界面波装置101中，在由Y截止X传输的LiNbO₃基板构成的第1介质111和由SiO₂膜构成的第2介质112的界面上配置有IDT电极115。而且，在第2介质112上按第3介质、第4介质的顺序层叠由多晶Si层构成的第3介质113和由SiO₂膜构成的第4介质114。 

这里，设定为可通过层叠第2介质～第4介质112～114，进行频率调整。即，在膜厚H1的第1介质、膜厚H2的第2介质112之间形成电极115，再层叠膜厚H3的第3介质113，得到层叠体。在该层叠体阶段进行频率调整。而且，在第3介质113上层叠膜厚H4的第4介质114。在这样得到的声界面波装置101中，界面波的能量如图12的右侧所示。即，由于在第4介质中界面波的能量只分布一小部分，所以若在上述层叠体阶段进行频率调整，明显减小频率差异，则即便形成第4介质114，也可减小频率差异。 

专利文献1：WO2004-070946 

专利文献2：WO2005-093949 

在专利文献1中记载的声界面波装置中，若确定构成压电基板的压电单晶体的基板取向、IDT电极的结构，则自然确定了频率温度系数TCF或延迟时间温度系数TCD。因此，难以得到具有期望的温度特性的声界面波装置。 

另外，在专利文献2中记载的声界面波装置中，如上所述，通过层叠第2介质～第4介质，在制造阶段可容易地进行频率调整，可提供频率偏差少的声界面波装置。可是，如专利文献2的图10中频率温度系数TCF所示那样，担心因层叠由上述多晶Si层构成的第3介质层，频率温度系数TCF恶化。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种鉴于上述现有技术的现状，在层叠多个介质构成的声界面波装置中，温度引起的特性变化小的声界面波装置。 

根据本申请的第1发明，提供一种按第1介质～第4介质的顺序层叠该第1介质～第4介质、在第1介质和第2介质之间的界面上配置电极的声界面波装置，在层叠所述第4介质、第2介质、电极、以及第1介质形成的结构中，声界面波或声表面波的延迟时间温度系数TCD为正值，所述第4或第2介质具有正的音速温度系数TCV，所述第1介质具有负的音速温度系数TCV，所述第3介质的横波音速慢于所述第4介质及/或第2介质的横波音速。 

在本发明的某个特定方面，第1介质由压电基板构成，第2介质由氧化硅膜构成，第3介质由氧化钽膜或氧化锌膜构成，第4介质由氧化硅膜构成。这时，在由氧化硅膜构成的第2、第4介质之间，配置由横波音速慢于氧化硅膜的氧化钽膜或氧化锌膜构成的第3介质。因此，根据本发明，由于配置横波音速慢于第4、第2介质的横波音速的第3介质，所以可确实地提供延迟时间温度系数TCD的绝对值小的、温度特性良好的声界面 波装置。 

根据本申请的第2发明，提供一种按第1介质～第4介质的顺序层叠该第1介质～第4介质、在第1介质和第2介质之间的界面上配置电极的声界面波装置，在层叠所述第4介质、第2介质、电极、以及第1介质形成的结构中，声界面波或声表面波的延迟时间温度系数TCD为负值，所述第4或第2介质具有负的音速温度系数TCV，所述第1介质具有正的音速温度系数TCV，所述第3介质的横波音速慢于所述第4介质及/或第2介质的横波音速。