[发明专利]声界面波装置有效
| 申请号： | 200780019212.2 | 申请日： | 2007-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN101454974A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 神藤始 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H01L41/09;H01L41/18;H03H9/145 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 界面 装置 | ||
1.一种声界面波装置，依次层叠第1介质～第4介质，在第1介质 和第2介质之间的界面上配置有电极，
在层叠所述第4介质、第2介质、电极、以及第1介质形成的结构中， 声界面波或声表面波的延迟时间温度系数TCD为正值，
所述第4或第2介质具有正的音速温度系数TCV，所述第1介质具有 负的音速温度系数TCV，
所述第3介质的横波音速慢于所述第4介质及/或第2介质的横波音 速。
2.根据权利要求1所述的声界面波装置，其特征在于：
所述第1介质由压电基板构成，所述第2介质由氧化硅膜构成，所述 第3介质由氧化钽膜或氧化锌膜构成，所述第4介质由氧化硅膜构成。
3.一种声界面波装置，依次层叠第1介质～第4介质，在第1介质 和第2介质之间的界面上配置有电极，
在层叠所述第4介质、第2介质、电极、以及第1介质形成的结构中， 声界面波或声表面波的延迟时间温度系数TCD为负值，
所述第4或第2介质具有负的音速温度系数TCV，所述第1介质具有 正的音速温度系数TCV，
所述第3介质的横波音速慢于所述第4介质及/或第2介质的横波音 速。
4.一种声界面波装置，按依次层叠第1介质～第4介质，在第1介 质和第2介质之间的界面上配置有电极，
在层叠所述第4介质、第2介质、电极、以及第1介质形成的结构中， 声界面波或声表面波的延迟时间温度系数TCD为正值，
所述第4或第2介质具有负的音速温度系数TCV，所述第1介质具有 正的音速温度系数TCV，
所述第3介质的横波音速快于所述第4介质及/或第2介质的横波音 速。
5.一种声界面波装置，在依次层叠第1介质～第4介质，在第1介 质和第2介质之间的界面上配置有电极，
在层叠所述第4介质、第2介质、电极、以及第1介质形成的结构中， 声界面波或声表面波的延迟时间温度系数TCD为负值，
所述第4或第2介质具有正的音速温度系数TCV，所述第1介质具有 负的音速温度系数TCV，
所述第3介质的横波音速快于所述第4介质及/或第2介质的横波音 速。
6.根据权利要求5所述的声界面波装置，其特征在于：
所述第1介质由压电基板构成，所述第2介质和第4介质由氧化硅膜 构成，所述第3介质由硅膜或氮化硅膜构成。
7.根据权利要求1-6之一所述的声界面波装置，其特征在于：
作为所述电极，具有至少1个IDT电极。
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