[发明专利]封装的等离子敏感性器件的制造方法

权利要求书

1.封装的等离子敏感性器件的制造方法，包括：

提供与基材相邻的等离子敏感性器件；

使用选自非等离子基方法或改进的溅镀方法的方法在该等离子敏 感性器件上沉积等离子保护层；和

沉积与该等离子保护层相邻的至少一个阻隔堆叠体，该至少一个 阻隔堆叠体包括至少一个去耦层和至少一个阻隔层，该等离子敏感性 器件被封装在该基材和至少一个阻隔堆叠体之间，其中该去耦层、阻 隔层或两者是使用等离子方法沉积的，与没有用该等离子保护层制造 的封装等离子敏感性器件相比，该封装等离子敏感性器件具有减少量 的由等离子所引起的破坏。

2.权利要求1的方法，其中该等离子保护层是使用非等离子基方 法沉积的。

3.权利要求2的方法，其中该非等离子基方法是在真空下进行的 方法。

4.权利要求2的方法，其中该非等离子基方法选自热蒸发、电子 束蒸发、化学蒸气沉积、金属有机化学蒸气沉积、催化化学蒸气沉积、 激光热传递、蒸发或化学蒸气沉积接着离子致密化，或它们的组合。

5.权利要求2的方法，其中该非等离子基方法是在常压下进行的 方法。

6.权利要求2的方法，其中该非等离子基方法选自旋涂、喷墨印 刷、丝网印刷、喷雾、凹版印刷、胶版印刷、激光热传递或它们的组 合。

7.权利要求2的方法，其中该等离子保护层是无机涂层。

8.权利要求7的方法，其中该无机涂层选自LiF、MgF₂、CaF₂或它 们的组合。

9.权利要求2的方法，其中该等离子保护层是有机涂层。

10.权利要求9的方法，其中该有机涂层选自三(8-羟基喹啉)铝、 酞菁、萘酞菁、多环芳族化合物或它们的组合。

11.权利要求1的方法，其中该等离子保护层是使用改进的溅镀方 法沉积的。

12.权利要求11的方法，其中该改进包括在靶阴极和等离子敏感 性器件之间提供丝网。

13.权利要求11的方法，其中该改进包括应用离轴溅镀。

14.权利要求11的方法，其中该改进包括减少该等离子敏感性器 件在等离子中的暴露时间。

15.权利要求11的方法，其中该改进包括降低等离子的能量。

16.权利要求11的方法，其中该等离子保护层选自AlOx、SiO₂或 它们的组合。

17.权利要求11的方法，其中该等离子保护层不是阻隔层。

18.权利要求11的方法，其中该改进的溅镀方法包括改进的反应 性溅镀方法。

19.通过权利要求1的方法制备的产品。

20.通过权利要求2的方法制备的产品。

21.通过权利要求11的方法制备的产品。

22.封装的等离子敏感性器件，包括：

基材；

与基材相邻的等离子敏感性器件；

在该等离子敏感性器件上的等离子保护层，该等离子保护层是使 用选自非等离子基方法或改进的溅镀方法的方法沉积的；和

与该等离子保护层相邻的至少一个阻隔堆叠体，该至少一个阻隔 堆叠体包括至少一个去耦层和至少一个阻隔层，该等离子敏感性器件 被封装在该基材和至少一个阻隔堆叠体之间，其中与没有用该等离子 保护层制造的封装等离子敏感性器件相比，该封装等离子敏感性器件 具有减少量的由等离子所引起的破坏。

23.权利要求22的封装的等离子敏感性器件，其中该等离子保护 层是无机涂层。